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PN结内的漂移电流是少数载流子是内电场的作用下形成的。


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考题 PN结加正向电压时,其正向电流是由()的。 A、多数载流子扩散而成B、多数载流子漂移而成C、少数载流子扩散而成D、少数载流子漂移而成

考题 当PN结两端加正向电压时,在PN结内参加导电的是()。 A、多数载流子B、少数载流子C、既有多数载流子又有少数载流子

考题 对PN结加反偏电压时,参与导电的是()。 A、多数载流子B、少数载流子C、既有多数载流子,也有少数载流子

考题 PN结附近形成的内电场方向是由N区指向P区,它阻止多子扩散,起到了限制电流通过的作用。() 此题为判断题(对,错)。

考题 漂移电流是少数载流子在PN结内电场作用下定向移动形成的。() 此题为判断题(对,错)。

考题 PN结中的内电场促进少数载流子的扩散运动。此题为判断题(对,错)。

考题 PN宽度稳定后,()。A、载流子停止运动B、只有多数载流子的扩散运动C、扩散与漂移运行达到动态平衡D、只有少数载流子的漂移运动

考题 当PN结加正向电压时,()运动超过了内电场作用下的()运动,形成较大的正向电流。

考题 PN结在未达到平衡前存在两种载流子的运动,即()A、载流子的浓度差引起的多子的漂移,电场引起的少子的扩散B、载流子的浓度差引起的多子的漂移,电场引起的少子的漂移C、载流子的浓度差引起的多子的扩散,电场引起的少子的扩散D、载流子的浓度差引起的多子的扩散,电场引起的少子的漂移

考题 PN结内部()。A、存在内电场,能帮助少数载流子漂流B、存在内电场,能帮助多数载流子扩散C、不存在内电场D、存在内磁场,起到单向导电作用

考题 PN结内扩散电流是载流子在电场作用下形成的。

考题 漂移电流是少数载流子在电场作用下形成的。

考题 在平衡p-n结中,由内件电场VD作用下形成的漂移电流等于载流子浓度差形成的扩散电流,而使p-n结中的静电流为零。

考题 PN结中载流子的漂移运动是由于()而产生的。

考题 PN结反偏时,内电场与外电场的方向(),空间电荷区变(),有利于少数载流子的漂移运动,阻碍多数载流子的扩散运动,此时PN结呈现的电阻大,PN结处于截止状态。

考题 在PN结的形成过程中,载流子的扩散运动是由于()而产生的,漂移运动是()作用下产生的。

考题 对PN结施加反向电压时,参与导电的是()A、多数载流子B、少数载流子C、既有多数载流子又有少数载流子

考题 二极管加正向电压时,其正向电流是由()。A、多数载流子扩散形成B、多数载流子漂移形成C、少数载流子漂移形成

考题 在PN结的形成过程中,载流子扩散运动是()作用下产生的,漂移运动是()作用下产生的。

考题 PN结加正向电压时,其正向电流是由()的。A、多数载流子扩散形成B、多数载流子漂移形成C、少数载流子扩散形成D、少数载流子漂移形成

考题 PN结内的扩散电流是载流子的电场力作用下形成的。

考题 为什么PN结具有单向导电性()。A、PN结内电场对多数载流子的扩散运动起有利作用,正向串联在电路中时,因叠加外正电场与内电场方向一致,增强内电场作用,多数载流子顺利通过在电路中形成电流,正向导通B、PN结内电场对多数载流子的扩散起阻挡作用,正向串联在电路中时,因叠加外正电场与内电场方向相反,削弱内电场阻挡作用,使多数载流子顺利通过阻挡层,在电路中形成电流,正向导通C、PN结内电场对多数载流子的扩散运动起有利作用,反向串联在电路时,因叠加外电场与内电场方向相反,削弱内电场作用,使多数载流子受到阻挡而无法通过,从而起反向截止作用D、PN结内电场对多数载流子的扩散运动起有利作用,反向串联在电路时,因叠加外电场与内电场方向一致,增强内电场作用,使多数载流子受到阻挡而无法通过,从而起反向截止作用

考题 PN结反向漏电流是由()产生的。A、电子B、空穴C、少数载流子D、多数载流子

考题 N型半导体,P型半导体中的多数载流子性质不同,N型半导体带负电,而P型半导体带正电,所以PN结形成内电场。

考题 单选题PN结在未达到平衡前存在两种载流子的运动,即()A 载流子的浓度差引起的多子的漂移,电场引起的少子的扩散B 载流子的浓度差引起的多子的漂移,电场引起的少子的漂移C 载流子的浓度差引起的多子的扩散,电场引起的少子的扩散D 载流子的浓度差引起的多子的扩散,电场引起的少子的漂移

考题 填空题PN结反向偏置时,外电场的方向与内电场的方向相同,有利于少子的漂移运动而不利于多子的(),这种情况下的电流称为()。

考题 填空题PN结正向偏置时,外电场的方向与内电场的方向(),有利于多数载流子的扩散运动而不利于少子的漂移。

考题 填空题当PN结加正向电压时,()运动超过了内电场作用下的()运动,形成较大的正向电流。