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2、关于氧化速率下面哪种描述是正确的:

A.生长非常薄(<十几nm)的栅氧化层时,氧化速率服从线性规律

B.温度升高氧化速率迅速增加

C.(111)硅比(100)硅氧化得快

D.有杂质(如Na、P等)存在,氧化速率降低

E.生长的氧化层较薄时,氧化速率服从线性规律

F.生长的氧化层较厚时,氧化速率服从线性线规律


参考答案和解析
温度升高氧化速率迅速增加;( 111 )硅比( 100 )硅氧化得快;生长的氧化层较薄时,氧化速率服从线性规律
更多 “2、关于氧化速率下面哪种描述是正确的:A.生长非常薄(<十几nm)的栅氧化层时,氧化速率服从线性规律B.温度升高氧化速率迅速增加C.(111)硅比(100)硅氧化得快D.有杂质(如Na、P等)存在,氧化速率降低E.生长的氧化层较薄时,氧化速率服从线性规律F.生长的氧化层较厚时,氧化速率服从线性线规律” 相关考题
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考题 关于SRM41单板的描述,请问下面哪个正确()A、群路指标(APD无fec),输入光功率范围是-8~31B、具有APS功能,可以通过网管设置C、支路1和支路2可以设置不同的速率D、支路模块类型为sx:1310nm,lx:1550nm

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