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导电高分子可以掺杂和脱掺杂，但掺杂、脱掺杂的过程不完全可逆（）

参考答案和解析
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考题 关于BJT的结构特点说法错误的是()。A、基区很薄且掺杂浓度很低B、发射区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度C、基区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度D、集电区面积大于发射区面积
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考题 晶体管能够放大的内部条件是()。 A.两个背靠背的PN结B.自由电子与空穴都参与导电C.有三个掺杂浓度不同的区域D.发射区高掺杂;基区很薄;集电区掺杂浓度低但面积大
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考题 导电聚合物的氧化掺杂也称p型掺杂，指用碱金属进行掺杂。（）
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考题 导电聚合物的还原掺杂（也称n型掺杂）一般是用卤素掺杂。（）
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考题 掺杂、掺假行为
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考题 以下掺杂半导体中属于n型的是（）A、In掺杂的GeB、As掺杂的GeC、InSb中，Si占据Sb的位置D、GaN中，Mg占据Ga的位置
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考题 杂质半导体的导电性能是通过掺杂而大大提高的。
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考题 食品的掺杂掺假
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考题 根据扩散原理，将三价（硼）或五价（磷）杂质原子掺入到硅半导体材料中（）A、 温度越高，掺杂越快B、 温度越低，掺杂越快C、 温度恒定，掺杂最快D、 掺杂快慢与温度无关
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考题 简述硼掺杂Si的导电机制。
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考题 晶体三极管放大作用需满足的条件有（）。A、内部条件，基区掺杂浓度小于发射区掺杂浓度B、内部条件，基区掺杂浓度大于发射区掺杂浓度C、外部条件，发射结正偏，集电结反偏D、外部条件，发射结反偏。集电结反偏
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考题 N型半导体中的自由电子是（）形成的。A、掺杂B、能量击发C、掺杂与能量击发
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考题 根据晶体管的结构特点，（）区的掺杂浓度最低。（）区的掺杂浓度最高。
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考题 在杂质半导体中，少数载流子的浓度取决于（）A、温度B、掺杂元素C、掺杂浓度D、掺杂工艺
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考题 晶体三极管发射区掺杂浓度远大于基区掺杂浓度。
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考题 砷掺杂Si的导电机理是什么？
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考题 填空题离子注入机的对Si衬底作P型掺杂的源气常用（），N型掺杂的源气常用（）和（）。对GaAs做N型掺杂的源气常用（）
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考题 判断题实现对CVD淀积多晶硅掺杂主要有三种工艺：扩散、离子注入、原位掺杂。由于原位掺杂比较简单，所以被广泛采用。A 对B 错
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考题 单选题杂质半导体中少数载流子浓度（）A 与掺杂浓度和温度无关B 只与掺杂浓度有关C 只与温度有关D 与掺杂浓度和温度有关
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考题 问答题什么是掺杂？为什么掺杂后的共轭高聚物的电导率可大幅度提高？
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考题 问答题扩散掺杂与离子注入掺杂所形成的杂质浓度分布各自的特点是什么？与扩散掺杂相比离子注入掺杂的优势与缺点各是什么？
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考题 问答题掺杂的目的是什么？举出两种掺杂方法并比较其优缺点。
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考题 单选题根据扩散原理，将三价（硼）或五价（磷）杂质原子掺入到硅半导体材料中（）A  温度越高，掺杂越快B  温度越低，掺杂越快C  温度恒定，掺杂最快D  掺杂快慢与温度无关
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考题 判断题在现代集成电路加工技术中，主流的掺杂技术是扩散掺杂。A 对B 错
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考题 单选题对于半导体材料，若（），导电能力减弱。A 环境温度降低B 掺杂金属元素C 增大环境光照强度D 掺杂非金属元素
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考题 问答题简述砷掺杂Si的导电机理
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考题 填空题（）和（）是半导体器件的最常用掺杂方法。（）、（）是Si常用的施主杂质；（）是Si常用的受主杂质；（）是GaAs常用的P型掺杂剂；（）是GaAs常用的N型掺杂剂。
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考题 填空题发射区重掺杂效应是指当发射区掺杂浓度太高时，不但不能提高（），反而会使其（）。造成发射区重掺杂效应的原因是（）和（）。
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