考题
发生器气相温度越高越好。()
此题为判断题(对，错)。
考题
外延生长方法比较多，其中主要的有（）外延、（）外延、金属有机化学气相外延、分子束外延、（）、固相外延等。
考题
硅外延生长工艺包括（）。A、衬底制备B、原位HCl腐蚀C、生长温度，生长压力，生长速度D、尾气的处理
考题
延生长方法比较多，其中主要的有（）外延、（）外延、金属有机化学气相外延、（）外延、原子束外延、固相外延等。
考题
铝酸钠精液的硅量指数越高，说明脱硅效果（）。A、越好B、越差C、不变D、硅量指数与脱硅效果无关
考题
工业用甲醛（A水）溶液的浓度与要求的储存温度之间的关系为（）。A、浓度越高，储存温度下限越高B、浓度越低，储存温度下限越高C、储存温度越低越好D、储存温度越高越好
考题
浸提药材时（）A、粉碎度越大越好B、温度越高越好C、时间越长越好D、溶媒PH越高越好E、浓度差越大越好
考题
变压器铁心中的硅钢片含硅量高时，可以改善其电磁性能，所以含硅量越高越好。
考题
碳和硅是钢轨中钢的强化元素，它们的含量越高越好。
考题
为使微生物生长旺盛，培养基中营养物质的浓度越高越好
考题
气调冷藏保藏食品时，其中氧气的浓度越低，CO2浓度越高效果越好。（）
考题
碳和硅是钢轨中强化元素，它们的含量越高越好。
考题
判断题酸洗时酸洗的浓度越高越好。A
对B
错
考题
单选题浸提药材时（）A
粉碎度越大越好B
温度越高越好C
时间越长越好D
溶媒PH越高越好E
浓度差越大越好
考题
问答题金属有机物气相外延生长和一般的气相外延生长的最大区别是什么？
考题
问答题硅气相外延工艺采用的衬底不是准确的晶向，通常偏离（100）或（111）等晶向一个小角度，为什么？
考题
判断题气调冷藏保藏食品时，其中氧气的浓度越低，CO2浓度越高效果越好。（）A
对B
错
考题
判断题为使微生物生长旺盛，培养基中营养物质的浓度越高越好A
对B
错
考题
问答题简述气相外延生长（VPE，vapor phase epitoxy）的原理。
考题
问答题什么是液相外延、气相外延和分子束外延？
考题
填空题硅气相外延的硅源有（）、（）、（）、（）等。