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以下关于NPN晶体管反向特性描述错误的是

A.Icbo<Iceo

B.BVceo < BVcer < BVces

C.浮动电压 Veb(fl)<0

D.BVcex >BVcer


参考答案和解析
A
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考题 用晶体管图示仪观察显示NPN型三极管的输出特性时,基极阶梯信号的极性开关应置于“+”,集电极扫描电压极性开关应置于“-”。

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考题 根据国产半导体器件型号的命名方法可知,3DG6为()。A、NPN型低频小功率硅晶体管B、NPN型高频小功率硅晶体管C、PNP型低频小功率锗晶体管D、NPN型低频大功率硅晶体管

考题 根据某只晶体管的各极对地电压分别是VB=-6.3v,VE=-7v,VC=-4v,可以判定此晶体管是()管,处于()。A、NPN管,饱和区B、PNP管,放大区C、PNP管,截止区D、NPN管,放大区

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考题 有关NPN晶体管的描述错误的是()A、如果晶体管中基极电流不流通,则集电极电流不流通B、光电晶体管有一个特性,即在有光照射时切断电流C、晶体管可以用作开关D、晶体三极管具有放大电流的功能

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考题 用晶体管图示仪观察显示NPN型三极管的输出特性时,基极阶梯信号的极性开关应置于“+”,集电极扫描电压极性应置于“-”。

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