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温度升高，晶体管的管压降|UBE| 。

A．增大

B．减小

C．不变

D．无法判断

参考答案和解析
错误
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考题 硅晶体管和锗晶体管工作于放大状态时,其发射结电压UBE分别为()和()。
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考题 温度升高导致三极管参数发生()变化。 A、ICBO，β，UBE都增大B、ICBO，β，UBE都减小C、ICBO，β增大，UBE减小D、β，UBE增大，ICBO减小
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考题 环境温度升高时双极型三极管的ICBO,β,Ube都升高。() 此题为判断题(对，错)。
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考题 当温度T升高时,晶体三极管的参数有如下变化规律()。 A、b增大，UBE增大，ICBO增大B、b减小，UBE减小，ICBO减小C、b增大，UBE减小，ICBO增大D、b减小，UBE增大，ICBO减小
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考题 温度升高，二极管的管压降减小。()
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考题 常温下,硅晶体管的UBE=0.7V,且随温度升高UBE增加。() 此题为判断题(对，错)。
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考题 晶体管的参数受温度的影响较大，当温度升高时，晶体管的β、ICBO、UBE的变化情况为（）。 A.β和ICBO增加，UBE减小 B.β和UBE减小，ICBO增加 C.β增加，ICBO和UBE减小 D.β、UBE和ICBO都增加
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考题 晶体管的参数受温度影响较大，当温度升高时，晶体管的β、ICBO和UBE的变化情况分别为（　　）。 A．β增加，ICBO和UBE减小 B．β和ICBO增加，UBE减小 C．β和UBE减小，ICBO增加 D．β、ICBO和UBE都增加
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考题 设所有的二极管X晶体管为硅管，二极管正向压降为0.3V，晶体管发射结导通压降UBE＝0.7V，则图中各晶体管的工作状态正确的是（　　）。 A． VT1饱和，VT2饱和 B． VT1截止，VT2饱和 C． VT1截止，VT2放大 D． VT1放大，VT2放大
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考题 温度对晶体管影响最大三个参数是Icba，β及Ube
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考题 晶体管对温度很（），如温度升高，其特性会变化，温度过高，将使晶体管损坏。
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考题 温度升高时，三极管参数正确变化的是（）。A、Icbo，Ube，β均增大B、Icbo，Ube，β均减小C、Icbo及β增大，Ube下降D、Icbo及β下降，Ube增大
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考题 温度升高，三极管的（）将下降。A、IcboB、IceoC、betaD、Ube
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考题 晶体管的（）随着电压升高而相应增大。A、电流放大倍数B、漏电流C、饱和压降D、输入电阻
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考题 温度升高导致三极管参数发生（）变化。A、Icbo、β、Ube都增大B、Icbo、β、Ube都减小C、Icbo和β增大、Ube减小D、Icbo减小、β和Ube增大
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考题 温度升高，晶体管的电流放大系数β（），反向饱和电流ICBO（）正向结电压uBE（）。
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考题 当环境温度升高时，三极管的下列参数变化的趋势是：电流放大系数β（），穿透电流ICEO（），当IB不变时，发射结正向压降|UBE|（）
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考题 当温度升高时，晶体管的β（），反向电流（），UBE（）
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考题 晶体管参数受温度影响较大，当温度升高时，晶体管的β，ICBO，uBE的变化情况为（）A、β增加，ICBO，和 uBE减小B、β和ICBO增加，uBE减小C、β和uBE减小，ICBO增增加D、β、ICBO和uBE都增加
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考题 当温度升高时，晶体管的参数β增大，ICBO（），导通电压UBE减小。
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考题 晶体三极管的参数受温度影响，当温度升高时，晶体管的ICBO将（），β将（），|UBE|将（）。
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考题 晶体管参数受温度影响较大，当温度升高时，晶体管的β，ICBO，uBE的变化情况为（）。A、β增加，ICBO和 uBE减小B、β和ICBO增加，uBE减小C、β和uBE减小，ICBO增加D、β、ICBO和uBE都增加
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考题 温度升高时，三极管的Ube（）。
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考题 有人测试晶体管的γbe，方法是通过测得晶体管的UBE=0.7，IB=20mA，推算出γbe=UBE/IB=0.7V/20mA=35KΩ。
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考题 晶体三极管的β、ICBO、UBE都是温度的函数，当温度升高时，β和ICBO（），而UBE（）
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考题 场效应管与晶体管相比较，其输入电阻；Nf（）；温度稳定性（）；饱和压降（）；放大能力（）；频率特性（）；输出功率（）。
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考题 NPN晶体管处于截止状态的条件是（）。A、UBE0.7VB、UBE0.7VC、UBE=0.7V
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考题 三极管中Icbo和Iceo随温度升高而（），Ube随温度升高而（）。
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