考题
当温度升高时,二极管的反向饱和电流将()。
A、增大B、不变C、减小D、不确定
考题
当环境温度升高时,二极管的反向电流将()
A、增大B、减小C、不变
考题
当环境温度升高时，半导体三极管的反向饱和电流Iabo将会（）。A、增大B、减小C、不变D、反向
考题
当环境温度升高时，二极管的反向电流将（）。A、增大B、减小C、不变D、先变大后变小
考题
为什么二极管的反向饱和电流与外加反向电压基本无关，而当环境温度升高时，又明显增大？
考题
当晶体管上的反向电压高于某值，反向电流会突然增大，这个电压叫（）。A、死区电压B、反向击穿电压
考题
当温度升高后，二极管的正向电压减小，反向电流增大。
考题
温度升高时，晶闸管的触发电流、正反向漏电流、维持电流增大。
考题
当环境温度升高时，三极管的反向饱和电流Iabo将会（）。A、增大；B、减小；C、不变；D、反向。
考题
温度升高，晶体管的电流放大系数β（），反向饱和电流ICBO（）正向结电压uBE（）。
考题
温度升高时，晶体管的反向饱和电流将（）。A、增大B、减少C、不变D、不能确定
考题
二极管的反向饱和电流在20℃时是5μA，温度每升高10℃，其反向饱和电流增大一倍，当温度为40℃时，反向饱和电流值为（）A、10μAB、15μAC、20μAD、40μA
考题
当温度升高时，二极管的反向饱和电流将（），正向压降将（）。
考题
晶体管是温度的敏感元件，当温度升高时其参数ICBO（），VBE（），β（）。
考题
当温度升高时，二极管反向饱和电流将（）。A、增大B、减小C、不变D、等于零
考题
当温度升高后，二极管的正向电压（），反向电流（）。
考题
当温度升高时，晶体管的参数碑拓β（），ICBO（），导通电压（）。
考题
当温度降低时，晶闸管的触发电流会（）、正反向漏电流会（）；当温度升高时，晶闸管的触发电流会（）、正反向漏电流会（）。
考题
当温度降低时，晶闸管的触发电流会（）、正反向漏电流会（）。
考题
温度升高时，可控硅的触发电流、维持电流将要减小，正反向漏电电流将增大。
考题
二极管的反向电流与温度有关，在—定温度范围内，温度升高，反向电流增加。
考题
填空题当温度升高时三极管的反向饱和电流ICBO（）所以Ic也（）。
考题
问答题为什么二极管的反向饱和电流与外加反向电压基本无关，而当环境温度升高时，又明显增大？
考题
单选题温度升高时，晶体管的反向饱和电流将（）。A
增大B
减少C
不变D
不能确定
考题
填空题当温度降低时，晶闸管的触发电流会增加、正反向漏电流会下降；当温度升高时，晶闸管的触发电流会下降、正反向漏电流会（）。
考题
单选题二极管的反向饱和电流在20℃时是5μA，温度每升高10℃，其反向饱和电流增大一倍，当温度为40℃时，反向饱和电流值为（）A
10μAB
15μAC
20μAD
40μA
考题
填空题当温度降低时，晶闸管的触发电流会（）、正反向漏电流会（）；当温度升高时，晶闸管的触发电流会（）、正反向漏电流会（）。