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2、假设某存储器地址长为22位，存储器字长为16位，若用64K X 4位的DRAM芯片构成该存储器，需（)片芯片。
A．4
B．128
C．64
D．256
参考答案和解析
C
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考题
内存按字节编址，地址从A0000H到CFFFFH的内存，共存（ ）字节，若用存储容量为64k*8bit的存储器芯片构成该内存空间，至少需要（请作答此空）片。
A.2
B.3
C.5
D.8
考题
内存按字节编址，地址从 AOOOOH 到 CFFFFH，共有（3）字节。 若用存储容量为 64K×8bit 的存储器芯片构成该内存空间，至少需要（4）片.
（3）A.80KB.96KC.160KD.192K
考题
内存按字节编址，地址从 AOOOOH 到 CFFFFH，共有（3）字节。 若用存储容量为 64K×8bit 的存储器芯片构成该内存空间，至少需要（4）片.
（4）A.2B.3C.5D.8
考题
若利用DRAM2164A（64K×1）存储器芯片构成256KB的存储器，至少需要的地址信号线数及用于片内寻址的地址信号线数分别为（）。A、18和16B、18和8C、17和15D、18和13
考题
用8k×8位的存储器芯片组成容量为16k×16位的存储器，共需几个芯片？共需多少根地址线寻址？（）A、2片芯片，14根地址线寻址B、4片芯片，14根地址线寻址C、2片芯片，15根地址线寻址D、4片芯片，15根地址线寻址
考题
现有1024×1的存储芯片，若用它组成容量为16K×8存储器。试求： （1）实现该存储器所需的芯片数量？ （2）若将这些芯片分装在若干块板上，每块板的容量为4K×8，该存储器所需的地址线总位数是多少？其中几位用于选板？几位用于选片？几位用作片内地址？
考题
写出下列存储器芯片（非DRAM）基本地址范围。这些芯片各需要几位地址线实现片内寻址？若要组成64KB的存储器需要几片？ 1）4416芯片 2）6116芯片 3）27128芯片 4）62256芯片
考题
某机字长16位，CPU地址总线18位，数据总线16位，存储器按字编址，CPU的控制信号线有：MREQ#（存储器访问请求，低电平有效），R/W#（读写控制，低电平为写信号，高电平为读信号）。试问：【＊＊，★，包捷5.2，编号3.3，3.5.2】
该机主存采用64K×1位的DRAM芯片（内部为4个128×128阵列）构成最大主存空间，则共需（）个芯片；若采用异步刷新方式，单元刷新间隔为2ms，则刷新信号的周期为（）。
考题
有一个64K×16位的存储器，由16K×1位的DRAM芯片（芯片内是128×128结构）构成，存储器读/写周期为500ns，试问： 1）需要多少片DRAM芯片？ 2）采用异步刷新方式，如单元刷新间隔不超过2ms，则刷新信号周期是多少？ 3）如果采用集中刷新方式，存储器刷新一遍最少用多少时间？
考题
单选题用8k×8位的存储器芯片组成容量为16k×16位的存储器，共需几个芯片？共需多少根地址线寻址？（）A
2片芯片，14根地址线寻址B
4片芯片，14根地址线寻址C
2片芯片，15根地址线寻址D
4片芯片，15根地址线寻址
考题
问答题设有一个具有20位地址和32位字长的存储器，问：（1）该存储器能存储多少个字节的信息？（2）如果存储器由512×8位SRAM芯片组成，需要多少片？（3）需要多少位地址作芯片选择？
考题
问答题有一个64K×16位的存储器，由16K×1位的DRAM芯片（芯片内是128×128结构）构成，存储器读/写周期为500ns，试问： 1）需要多少片DRAM芯片？ 2）采用异步刷新方式，如单元刷新间隔不超过2ms，则刷新信号周期是多少？ 3）如果采用集中刷新方式，存储器刷新一遍最少用多少时间？
考题
单选题某半导体静态存储器芯片的地址线为A12～A0，数据线D3～D0，若组成容量为64KB存储器，需要该种存储芯片的片数为（）A
2片B
4片C
8片D
16片
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