考题
绝缘栅型场效应管的输入电流不为零。()
此题为判断题(对，错)。
考题
增强型绝缘栅场效应管只有加一定的负栅压,才能形成导电沟道而导通。()
此题为判断题(对，错)。
考题
耗尽型MOS管不能采用自偏压方式。()
此题为判断题(对，错)。
考题
IGBT是开关电源中的一种常用功率开关管,它的全称是()。
A.绝缘栅场效应管B.结型场效应管C.绝缘栅双极晶体管D.双极型功率晶体管
考题
()场效应管能采取自偏压电路。A、增强型和结型B、耗尽型和结型C、都不能D、增强型和耗尽型
考题
单边带功放级用金属陶瓷管的栅偏压应采用()。
A.固定栅偏压B.固定自偏压C.栅极自给偏压D.BC相结合
考题
N沟道增强型绝缘栅场效应管，栅源电压VGS是指（）A、正极性B、负极性C、零D、不能确定
考题
结型场效应管与绝缘栅型场效应管在使用和保管时注意事项相同。
考题
单边带收发信机功放级采用金属陶瓷管的，其栅偏压应采用（）A、固定栅偏压B、固定自偏压C、栅极自给偏压D、B与C相结合
考题
对于绝缘栅场效应管，无论增强型还是耗尽型，只要是N沟道器件，UDS应为负值，衬底接最低电位，UGS越向正值方向增大，硒越小
考题
绝缘栅场效应管也有两种结构形式，它们是N沟道型和P沟道型。无论是什么沟道，它们又分为增强型和耗尽型两种
考题
单边带功放级用金属陶瓷管的栅偏压应采用（）A、固定栅偏压B、固定自偏压C、栅极自给偏压D、BC相结合
考题
场效应管的类型有（）。A、结型场效应管B、绝缘栅型场效应管C、N沟道增强型MOS管D、P沟道增强型MOS管E、N沟道耗尽型MOS管F、P沟道耗尽型MOS管
考题
结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其RGS大的特点。
考题
场效应管按结构分为结型和（）。A、绝缘栅型B、耗尽型C、增强型
考题
场效应管按性能分为耗尽型和（）。A、绝缘栅型B、耗尽型C、增强型
考题
场效应管按其结构不同常见的两种类型：（）和绝缘栅场效应管。
考题
IGBT是开关电源中的一种常用功率开关管，它的全称是（）。A、绝缘栅场效应管B、结型场效应管C、绝缘栅双极晶体管D、双极型功率晶体管
考题
结型场效应管放大电路的偏置方式是（）A、自给偏压电路B、外加偏压电路C、无须偏置电路D、栅极分压与源极自偏结合
考题
根据栅—源电压为零时，导电沟道是否存在，将场效应管分为（）和耗尽型。
考题
绝缘栅型场效应管又分为（）和（），两者区别（）。
考题
绝缘栅型场效应管通常称为（）、存放时应将三个电极（）。
考题
更具结构不同，场效应管分为（）A、N沟道和P沟道场效应管B、NPN和PNP型场效应C、MOS管和MNS管D、结构和绝缘栅场效应管
考题
根据结构的不同，场效应管可分为结型场效应管和绝缘栅场效应管。
考题
单选题绝缘栅型场效应管的输入电流（）。A
较大B
较小C
为零D
无法判断
考题
单选题N沟道增强型绝缘栅场效应管，栅源电压VGS是指（）A
正极性B
负极性C
零D
不能确定
考题
单选题单边带收发信机功放级采用金属陶瓷管的，其栅偏压应采用（）A
固定栅偏压B
固定自偏压C
栅极自给偏压D
B与C相结合
考题
单选题单边带功放级用金属陶瓷管的栅偏压应采用（）A
固定栅偏压B
固定自偏压C
栅极自给偏压D
BC相结合