网友您好， 请在下方输入框内输入要搜索的题目：

题目内容 （请给出正确答案）

结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其RGS大的特点。

参考答案

更多 “结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其RGS大的特点。” 相关考题
考题 场效应管的工作原理是() A、栅源电压控制漏极电流B、栅源电压控制漏极电压C、栅极电流控制漏极电流D、栅极电流控制漏极电压
查看答案
考题 场效应晶体管是用()控制漏极电流的。A、栅源电流B、栅源电压C、漏源电流D、漏源电压
查看答案
考题 场效应管是通过改变()来控制漏极电流的。 A、栅极电流B、栅源电压C、源极电压D、源极电流
查看答案
考题 结型场效应管工作时,要求栅源之间处于反偏状态() 此题为判断题(对，错)。
查看答案
考题 增强型场效应管,工作时需要在栅源之间加正向电压() 此题为判断题(对，错)。
查看答案
考题 N沟道增强型绝缘栅场效应管，栅源电压VGS是指（）A、正极性B、负极性C、零D、不能确定
查看答案
考题 结型场效应管工作在线性区时，有放大作用。它是用栅源间的电压控制漏极电流的。由它构成的放大电路（），并有一定的电压放大倍数。A、输入电阻很大；B、输入电阻很小；C、输出电阻很大；D、输出电阻很小。
查看答案
考题 场效应管中，夹断电压表示漏极电流为（）时的栅源电压。
查看答案
考题 结型场效应管利用删源极间所加的（）来改变导电沟道的电阻。A、反偏电压B、反向电流C、正偏电压D、正向电流
查看答案
考题 结型场效应管外加的栅源电压应使栅源间的PN结反偏。
查看答案
考题 功率MOSFET对驱动电路的要求是（）。A、驱动信号的前后沿陡峭B、驱动信号的电压应高于开启电压C、信号电压应低于栅源击穿电压D、截止时应加小于栅源击穿电压的电压
查看答案
考题 外加反向电压，PN结中的耗尽层宽度将变宽。
查看答案
考题 使结型场效应管ID=0的临界栅源电压称为（夹断）电压，N沟道JFET的UGS（off）（）0，P沟道JFET的UGS（off）（）0。
查看答案
考题 当栅源电压等于零时，增强型FET（）导电沟道，结型FET的沟道电阻（）。
查看答案
考题 场效应管是通过（）改变漏极电流的。A、栅极电流B、栅源电压C、漏源电压
查看答案
考题 根据栅—源电压为零时，导电沟道是否存在，将场效应管分为（）和耗尽型。
查看答案
考题 场效应管中，Idss表示栅源电压为零时的（）电流。
查看答案
考题 结型场效应管用作放大时，其栅源极之间应加（）电压。
查看答案
考题 场效应管工作在饱和区时，其漏极电流iD和栅源电压VGS之间呈（）关系。
查看答案
考题 场效应管在恒流区，iD主要由栅源电压uGS决定。
查看答案
考题 当PN结外加正向电压时，扩散电流（）漂移电流，耗尽层变窄，当PN结外加反向电压时，扩散电流小于漂移电流，耗尽层变宽。A、大于B、小于C、等于D、变宽
查看答案
考题 结型场效应管的栅、源极之间应加（）电压。
查看答案
考题 JFET是利用PN结反向电压对耗尽层厚度的控制，来改变（）的宽窄，从而控制漏极电流的大小；而MOSFET则是利用栅源电压的大小，来改变半导体表面（）的多少，从而控制漏极电流的大小。
查看答案
考题 当PN结外加正向电压时，扩散电流（）漂移电流，耗尽层（）。当外加反向电压时，扩散电流（）漂移电流，耗尽层（）。
查看答案
考题 单选题结型场效应管利用栅源极间所加的（）来改变导电沟道电阻。A 反偏电压B 反向电流C 正偏电压D 正向电流
查看答案
考题 单选题场效应管的漏极电流是受以下哪种参数控制的。（）A 栅极电流B 栅源电压C 漏源电压D 栅漏电压
查看答案
考题 单选题N沟道增强型绝缘栅场效应管，栅源电压VGS是指（）A 正极性B 负极性C 零D 不能确定
查看答案
热门标签
最新试卷