考题
PFM冠上釉时的炉温是A、与体瓷的烧结温度相同B、低于体瓷烧结温度6～8℃C、低于体瓷烧结温度10～20℃D、高于体瓷烧结温度6～8℃E、高于体瓷烧结温度10～20℃
考题
（）是指陶瓷坯体干燥入窑烧成时，产生一系列物理化学变化，形体进一步收缩的过程。A、烧成收缩B、干燥收缩C、可塑性D、烧结性
考题
在烧结时，晶粒生长能促进坯体致密化吗？晶粒生长会影响烧结速率吗？试说明之。
考题
陶瓷经烧结后在宏观上的变化表述不正确的是（）A、强度增加B、体积收缩C、气孔率降低D、致密度减少
考题
烧结过程的标志是坯体的强度增加、（）、表面积减小，而不是指烧结体发生致密化或者收缩。
考题
固相烧结的推动力是什么？如何实现特种陶瓷的低温烧结？
考题
下列陶瓷原料中（）不起助熔作用，而提高陶瓷坯体的烧结温度。A、滑石B、石灰石C、硅灰石D、石英
考题
高密度氮化硅陶瓷选用哪种烧结方式最好（）。A、常压烧结B、热压烧结C、反应烧结D、气氛烧结
考题
为什么说普通陶瓷在还原气氛中的烧结温度比氧化气氛中低？
考题
试述烧结初期，晶粒长大能促进坯体致密化么？晶粒长大能影响烧结速率么？
考题
单选题下列陶瓷原料中（）不起助熔作用，而提高陶瓷坯体的烧结温度。A
滑石B
石灰石C
硅灰石D
石英
考题
问答题固相烧结的推动力是什么？如何实现特种陶瓷的低温烧结？
考题
问答题试述烧结初期，晶粒长大能促进坯体致密化么？晶粒长大能影响烧结速率么？
考题
填空题烧结过程的标志是坯体的强度增加、（）、表面积减小，而不是指烧结体发生致密化或者收缩。
考题
填空题坯体烧结后在宏观上的变化是：（），致密度提高，强度增加。
考题
问答题在烧结时，晶粒生长能促进坯体致密化吗？晶粒生长会影响烧结速率吗？试说明之。
考题
填空题烧结程度可以用（）、气孔率或体积密度与理论密度之比等来表征。
考题
判断题坯体的烧成温度就是坯体的烧结温度。A
对B
错
考题
问答题粉体为什么能烧结？烧结的推动力是什么？
考题
单选题陶瓷经烧结后在宏观上的变化表述不正确的是（）A
强度增加B
体积收缩C
气孔率降低D
致密度减少
考题
填空题陶瓷烧结体的显微结构包括（）、（）、（）和（）。
考题
单选题PFM冠上釉时的炉温是（ ）。A
与体瓷的烧结温度相同B
低于体瓷烧结温度6～8℃C
低于体瓷烧结温度10～20°CD
高于体瓷烧结温度6～8℃E
高于体瓷烧结温度10～20℃
考题
单选题高密度氮化硅陶瓷选用哪种烧结方式最好（）。A
常压烧结B
热压烧结C
反应烧结D
气氛烧结