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7、对于MOSFET和JFET而言，有效沟道长度的改变以及相应漏电流的变化称为____。

参考答案和解析
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考题 按导电沟道不同,电力MOSFET可分为哪两项?( ) A、耗尽型B、增强型C、P沟道D、N沟道
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考题 场效应管的沟道完全夹断后，其漏极电流iD( )。A.很大B.随VDS变化C.较小D.等于0
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考题 功率MOSFET的极限参数指的是( )。A、最大漏极电流B、最小漏极电流C、最大许用漏-源电压D、最小许用漏-源电压
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考题 增强型绝缘栅场效应管,当栅极g与源极s之间电压为零时()。 A、不能形成导电沟道B、漏极电压为零C、能够形成导电沟道D、漏极电流不为零
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考题 从线性系统的频率特性来看,下列说法正确的是 ( ) A 相对于输入信号而言,输出信号的幅值和相位都没有变化;B 相对于输入信号而言,输出信号的幅值增大相位滞后;C 相对于输入信号而言,输出信号的幅值和相位都有变化,变化规律取决于系统的结构和参数;D 相对于输入信号而言,输出信号的幅值改变但相位不变。
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考题 电力MOSFET的种类和结构繁多,按导电沟道可分为______和______。当栅极电压为零源漏之间就存在导电沟道的称为______;对于N(P)沟道器件,栅极电压大于(小于)零时才存在导电沟道的称为______。在电力MOSFET中,主要是______。
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考题 对于三相半波可控整流电路,换相重叠角γ与哪几个参数有关() A、α、负载电流Id以及变压器漏抗XCB、α以及负载电流IdC、α和U2D、α、负载电流Id、U2以及变压器漏抗XC
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考题 硅MOSFET和硅JFET结构相同。（）
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考题 对于串励牵引电机而言，它是通过改变（）的电流方向来改变转向的。
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考题 功率场效应管的通态电阻是指MOSFET导通时，漏源极电压与栅极电流的比值。
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考题 结型场效应管的基本工作原理是（）A、改变导电沟道中的载流子浓度B、改变导电沟道中的横截面积C、改变导电沟道中的有效长度D、改变导电沟道中的体积
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考题 对于三相半波可控整流电路，换相重叠角γ与哪几个参数有关（）A、α、负载电流Id以及变压器漏抗XCB、α以及负载电流IdC、α和U2D、α、U2以及变压器漏抗XC
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考题 当uGS=0时，漏源间存在导电沟道的称为（）型场效应管；漏源间不存在导电沟道的称为（）型场效应管。
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考题 使结型场效应管ID=0的临界栅源电压称为（夹断）电压，N沟道JFET的UGS（off）（）0，P沟道JFET的UGS（off）（）0。
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考题 场效应管从结构上可分为两大类：（）、MOS；根据导电沟道的不同又可分为N沟道、P沟道两类；对于MOSFET，根据栅源电压为零时是否存在导电沟道，又可分为两种：耗尽型、（）。
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考题 JFET是利用PN结反向电压对耗尽层厚度的控制，来改变（）的宽窄，从而控制漏极电流的大小；而MOSFET则是利用栅源电压的大小，来改变半导体表面（）的多少，从而控制漏极电流的大小。
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考题 通常结型场效应管JFET在漏极和源极互换使用时，仍有正常的放大作用。
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考题 填空题在长沟道MOSFET中，漏极电流的饱和是由于（），而在短沟道MOSFET中，漏极电流的饱和则是由于（）。
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考题 单选题对于三相半波可控整流电路，换相重叠角γ与哪几个参数有关（）A α、负载电流Id以及变压器漏抗XCB α以及负载电流IdC α和U2D α、U2以及变压器漏抗XC
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考题 判断题功率场效应管的通态电阻是指MOSFET导通时，漏源极电压与栅极电流的比值。A 对B 错
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考题 填空题P沟道MOSFET的衬底是（）型半导体，源区和漏区是（）型半导体，沟道中的载流子是（）。
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考题 多选题按导电沟道不同，电力MOSFET可分为哪两项？（）A耗尽型B增强型CP沟道DN沟道
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考题 多选题功率MOSFET的极限参数指的是（）。A最大漏极电流B最小漏极电流C最大许用漏-源电压D最小许用漏-源电压
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考题 填空题由于源、漏区的掺杂浓度（）于沟道区的掺杂浓度，所以MOSFET源、漏PN结的耗尽区主要向（）区扩展，使MOSFET的源、漏穿通问题比双极型晶体管的基区穿通问题（）。
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考题 判断题PMOS是在N阱上形成P沟道的MOSFET晶体管。A 对B 错
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考题 填空题PMOS是在（）上形成P型沟道的MOSFET晶体管。
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考题 填空题为了避免短沟道效应，可采用按比例缩小法则，当MOSFET的沟道长度缩短一半时，其沟道宽度应（），栅氧化层厚度应（），源、漏区结深应（），衬底掺杂浓度应（）。
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考题 单选题对于三相半波可控整流电路，换相重叠角γ与哪几个参数有关？（）A α、U2、负载电流Id以及变压器漏抗XCB α和U2C α以及负载电流ID α、U2以及变压器漏抗XC
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