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画图分析MOS结构的电荷存储原理。
参考答案和解析
非稳态下的深耗尽状态
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考题
DRAM是靠MOS电路中的栅极电容上的电荷来记忆信息的。为了防止数据丢失，需定时给电容上的电荷进行补充，这是通过以一定的时间间隔将DRAM各存储单元中的数据读出并再写入实现的，该过程称为DRAM的______。
考题
CCD（电荷耦合器件）的基本单元是MOS电容，在P型硅基质上，通过氧化生成的氧化膜，即二氧化硅绝缘层，再在绝缘层上通过蒸发和（）形成条形金属电极就构成了MOS结构。A、光刻技术B、转移电荷C、光电效应D、光电转化
考题
SRAM和DRAM存储原理不同，它们分别靠（）来存储0和1的。 A、双稳态触发器的两个稳态和极间是否有足够的电荷B、内部熔丝是否断开和双稳态触发器C、极间电荷和浮置栅是否积累足够的电荷D、极间是否有足够的电荷和双稳态触发器的两个稳态
考题
单选题SRAM和DRAM存储原理不同，它们分别靠（）来存储0和1的。A
双稳态触发器的两个稳态和极间是否有足够的电荷B
内部熔丝是否断开和双稳态触发器C
极间电荷和浮置栅是否积累足够的电荷D
极间是否有足够的电荷和双稳态触发器的两个稳态
考题
单选题在以下各种说法中，正确的是（）A
虽然CCD是通过势阱存储电荷的，但不能通过势阱变化把电荷转移出去；B
不但CCD是通过P-N结存储电荷的，可以通过势阱变化把电荷转移出去；C
光电二极管可以通过P-N结存储电荷，可以通过势阱变化把电荷转移出去；D
光电二极管可以通过P-N结存储电荷，可以通过曝光的办法把电荷泄放掉。
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