考题
不适合于作热释电探测器的热电晶体是()。
A.硫酸三甘钛TGSB.锆钛酸铅PZTC.钛酸锂LITaO3D.碲镉汞CdHgTe
考题
碲镉汞器件的波长范围λ为（）。A、1～3μmB、3～5μmC、5～7μmD、7～9μm
考题
碲锡汞是碲化镉与碲化汞的固溶体，可用来制作（）元件。
考题
常用的光敏电阻材料是（）。A、硫化镉B、碲化镉C、硫化物玻璃半导体D、聚苯胺
考题
下面哪几项可以体现HBDS-III型机的自适应特性（）。A、采用碲镉汞器件B、铂电阻测温C、热靶标定D、探头标定
考题
三型机光子探头采用（）器件。A、碲镉汞B、铂电阻C、热敏电阻D、密封
考题
碲镉汞器件的峰值波长为（）。A、3.6μmB、4.6μmC、5.6μmD、3μm
考题
THDS-A红外轴温探测系统温控板是控制（）温度的电路板。A、热电阻B、铂电阻C、碲镉汞光子器件D、热靶
考题
（康拓）THDS-B系统制冷板是控制（）温度的电路板。A、热电阻B、铂电阻C、热靶D、碲镉汞光子器件
考题
温控板是控制碲镉汞器件温度的电路板，具有（）种控制模式。A、1B、2C、3D、4
考题
（康拓）THDS-A系统校零板实现对两个（）校零的电路板。A、光子探头B、热敏探头C、热靶D、碲镉汞光子器件
考题
THDS-A（哈科所）探测站中，碲镉汞器件需要在低温条件下工作，以获得比较高的（），因此要对碲镉汞进行致冷。A、响应率B、信噪比C、兑现率D、准确率E、灵敏度
考题
THDS-A探测系统中直流探头中测温元件为（）A、双浸没热敏电阻B、碲镉汞光子器件C、铂电阻D、普通电阻
考题
THDS-C探头温控板是控制碲镉汞元件温度的电路板，具有3种调整制冷方式。
考题
THDS-A红外轴温探测系统校零板实现对两个（）校零的电路板。A、光子探头B、热敏探头C、热靶D、碲镉汞光子器件
考题
（康拓）THDS-A系统中调制探头中测温元件为碲镉汞光子器件。
考题
单选题THDS-A探测系统中直流探头中测温元件为（）A
双浸没热敏电阻B
碲镉汞光子器件C
铂电阻D
普通电阻
考题
多选题THDS-A（哈科所）探测站中，碲镉汞器件需要在低温条件下工作，以获得比较高的（），因此要对碲镉汞进行致冷。A响应率B信噪比C兑现率D准确率E灵敏度
考题
单选题THDS-A红外轴温探测系统校零板实现对两个（）校零的电路板。A
光子探头B
热敏探头C
热靶D
碲镉汞光子器件
考题
单选题（康拓）THDS-A系统校零板实现对两个（）校零的电路板。A
光子探头B
热敏探头C
热靶D
碲镉汞光子器件
考题
判断题（康拓）THDS-A系统中调制探头中测温元件为碲镉汞光子器件。A
对B
错
考题
多选题下列光电导器件中那些属于本证光电导器件（）A锗掺汞B硫化镉C硫化铅D锑化汞E碲鎘汞
考题
单选题（康拓）THDS-B系统制冷板是控制（）温度的电路板。A
热电阻B
铂电阻C
热靶D
碲镉汞光子器件
考题
判断题THDS-C探测站中制冷控制板是控制碲镉汞元件温度的电路板，具有3种调整制冷方式。A
对B
错
考题
单选题温控板是控制碲镉汞器件温度的电路板，具有（）种控制模式。A
1B
2C
3D
4
考题
判断题Hologic采用的碲化镉直接数字化探测器？A
对B
错
考题
单选题THDS-A红外轴温探测系统温控板是控制（）温度的电路板。A
热电阻B
铂电阻C
碲镉汞光子器件D
热靶
