考题
碲锡汞是碲化镉与碲化汞的固溶体，可用来制作（）元件。
考题
THDS-A红外轴温探测系统温控板是控制（）温度的电路板。A、热电阻B、铂电阻C、碲镉汞光子器件D、热靶
考题
（康拓）THDS-B系统制冷板是控制（）温度的电路板。A、热电阻B、铂电阻C、热靶D、碲镉汞光子器件
考题
温控板是控制碲镉汞器件温度的电路板，具有（）种控制模式。A、1B、2C、3D、4
考题
THDS-C探测站的加热控制板加的加热保护温度为（）。A、100℃±5℃B、110℃±5℃C、120℃±5℃D、130℃±5℃
考题
THDS-A（哈科所）探测站中，碲镉汞器件需要在低温条件下工作，以获得比较高的（），因此要对碲镉汞进行致冷。A、响应率B、信噪比C、兑现率D、准确率E、灵敏度
考题
THDS-C探测站控制板的作用是用于（）的驱动。A、探头校零B、保护门电机C、热靶电机D、热靶加热E、制冷电流调整
考题
THDS-C探头温控板是控制碲镉汞元件温度的电路板，具有3种调整制冷方式。
考题
THDS-C探测站的加热控制板加的加热保护温度为+120℃±5℃。
考题
THDS-C探测站，光子探头的红外器件的工作特性是（）。A、真空充氮密封B、采用双浸热敏元件C、三级半导体制冷D、二级半导制冷E、一级半导制冷
考题
（哈科）THDS-C系统制冷控制板的制冷控制路数：2路，每路控制1个光子探头。
考题
THDS-C探测站中光子探头的元件温度是由控制箱内的制冷控制板控制的。
考题
（哈科）THDS-C系统制冷电源板是一种专门配合制冷控制板使用、采用15针欧式插针和前插板方式的新型制冷电源板。
考题
（康拓）THDS-A系统中调制探头中测温元件为碲镉汞光子器件。
考题
多选题THDS-A（哈科所）探测站中，碲镉汞器件需要在低温条件下工作，以获得比较高的（），因此要对碲镉汞进行致冷。A响应率B信噪比C兑现率D准确率E灵敏度
考题
判断题（康拓）THDS-A系统中调制探头中测温元件为碲镉汞光子器件。A
对B
错
考题
多选题THDS-C探测站，光子探头的红外器件的工作特性是（）。A真空充氮密封B采用双浸热敏元件C三级半导体制冷D二级半导制冷E一级半导制冷
考题
判断题THDS-C探头温控板是控制碲镉汞元件温度的电路板，具有3种调整制冷方式。A
对B
错
考题
单选题（康拓）THDS-B系统制冷板是控制（）温度的电路板。A
热电阻B
铂电阻C
热靶D
碲镉汞光子器件
考题
判断题（哈科）THDS-C系统制冷控制板的制冷控制路数：2路，每路控制1个光子探头。A
对B
错
考题
判断题THDS-C探测站的加热控制板加的加热保护温度为+120℃±5℃。A
对B
错
考题
判断题THDS-C探测站中光子探头的元件温度是由控制箱内的制冷控制板控制的。A
对B
错
考题
判断题（哈科）THDS-C系统制冷电源板是一种专门配合制冷控制板使用、采用15针欧式插针和前插板方式的新型制冷电源板。A
对B
错
考题
单选题THDS-C探测站中元件制冷电流大于（）为异常状态。A
300mAB
500mAC
700mAD
900mA
考题
单选题温控板是控制碲镉汞器件温度的电路板，具有（）种控制模式。A
1B
2C
3D
4
考题
多选题THDS-C探测站控制板的作用是用于（）的驱动。A探头校零B保护门电机C热靶电机D热靶加热E制冷电流调整
考题
单选题THDS-A红外轴温探测系统温控板是控制（）温度的电路板。A
热电阻B
铂电阻C
碲镉汞光子器件D
热靶