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单选题
TTL门电路的开门电阻的典型值为()。
A

3kΩ

B

2kΩ

C

700Ω

D

300Ω


参考答案

参考解析
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考题 TTL门电路的输入端悬空或接大电阻相当接:() A、低电平B、高电平C、高阻

考题 下列各类门电路中,可以将输出端直接并联实现“线与”逻辑的门电路是(23)。A.三态输出的门电路B.集电极开路输出的TTL门电路C.互补输出结构的CMOS门电路D.推拉式输出结构的TTL门电路

考题 TTL型门电路比CMS型门电路开关速度快。

考题 TTL门电路是晶体管-晶体管逻辑门电路的简称。

考题 CMOS门电路的抗干能力比TTL门电路差些。

考题 TTL集成门电路输出高电平时具有很()的输出电阻,输出低电平时具有很()的输出电阻。A、低、高B、低、低C、高、低D、高、高

考题 TTL与非门电路的主要技术参数有()。A、输出高电平UOHB、输入短路电流IISC、输入低电平UOLD、扇出数NOE、开门电平UON和关门电平UOFF

考题 TTL与非门电路低电平的产品典型值通常不高于()A、1VB、0.4VC、0.8VD、1.5V

考题 TTL与非门电路高电平的产品典型值通常不低于()伏。A、3B、4C、2D、2.4

考题 下列说法错误的是()A、双极型数字集成门电路是以场效应管为基本器件构成的集成电路B、TTL逻辑门电路是以晶体管为基本器件构成的集成电路C、CMOS集成门电路集成度高,但功耗较高D、TTL集成门电路集成度高,但功耗较低E、TTL集成门电路集成度高,但功耗较高

考题 TTL与非门电路参数中的扇出电压No,是指该门电路能驱动同类门电路的数量。

考题 集电极开路输出的TTL门电路需要()电阻,接在输出端和+5V电源之间。A、集电极B、基极C、发射极D、栅极

考题 CMOS集成门电路的输入阻抗比TTL集成门电路高。

考题 CMOS门电路的负载能力约比TTL门电路()。

考题 如果要提高TTL电路OC门电路的输出电平,可()。A、减小上拉电阻阻值B、增大上拉电阻阻值C、增大电源电压D、没有办法

考题 TTL集成门电路有何特点,集成门电路的多余端如何处理?

考题 TTL与非门电路的输出高电平UOH的典型值约为()V。A、2.5B、3.5C、4.5D、5

考题 对于TTL门电路的输入端经过电阻接电源与接逻辑高电平等效。

考题 TTL门电路的开门电阻的典型值为()。A、3kΩB、2kΩC、700ΩD、300Ω

考题 下面对TTL和CMOS集成电路描述错误的是()。A、TTL集成门电路的电源电压比CMOS集成门电路的电源电压范围宽。B、TTL集成门电路的功耗比CMOS集成门电路的功耗低。C、TTL与非门的输入端可以悬空,CMOS与非门的输入端不可以悬空。D、TTL与非门和CMOS与非门的输入端都可以悬空。

考题 下列说法错误的是()。 A、双极型数字集成门电路是以场效应管为基本器件构成的集成电路B、TTL逻辑门电路是以晶体管为基本器件构成的集成电路C、CMOS集成门电路集成度高,但功耗较高D、CMOS集成门电路集成度高,但功耗较低E、TTL集成门电路集成度高,但功耗较低

考题 TTL门电路为了提高负载能力,通常在其输出级采用()。A、电阻负载B、电抗负载C、有源负载D、容性负载

考题 TTL与非门电路的输出管的集电极电阻通常采用()。A、谐振电路B、容性负载C、有源负载D、负阻抗器件

考题 按照电路的不同结构,门电路可以分为()与()。A、分立元件门电路,TTL门电路B、集成门电路和双极型电路C、分立元件门电路,集成门电路D、TTL门电路,集成门电路

考题 TTL门电路输出高电平的典型值是()伏。A、1.2B、2.4C、3.6D、4.8

考题 TTL集成逻辑门电路内部是以()为基本元件构成的。A、场效应管;B、晶闸管;C、晶体管;D、电阻、电容、电感。

考题 CMOS集成门电路的输入阻抗比TTL门电路高。