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CMOS集成门电路的输入阻抗比TTL集成门电路高。


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考题 CMOS门电路的抗干能力比TTL门电路差些。() 此题为判断题(对,错)。

考题 把构成门电路的基本元件制作在一小片半导体芯片上,就构成集成电路,根据制造工艺的不同,把数字集成电路分为哪两种。()A、双极性集成电路B、TTL集成电路C、CMOS集成电路D、单极性集成电路

考题 CMOS集成门电路的内部电路是由场效应管构成的。

考题 CMOS门电路的抗干能力比TTL门电路差些。

考题 TTL集成逻辑门电路的输入端和输出端都是采用()结构。

考题 下列说法错误的是()A、双极型数字集成门电路是以场效应管为基本器件构成的集成电路B、TTL逻辑门电路是以晶体管为基本器件构成的集成电路C、CMOS集成门电路集成度高,但功耗较高D、TTL集成门电路集成度高,但功耗较低E、TTL集成门电路集成度高,但功耗较高

考题 CMOS集成门电路的内部电路由场效应管构成。

考题 74系列TTL集成门电路的输出高电瓶电压约为()。A、5VB、3.4VC、0.3VD、0V

考题 CMOS门电路的负载能力约比TTL门电路()。

考题 TTL集成门电路是指()。A、二极管---三极管集成门电路B、晶体管---晶体管集成门电路C、N沟道场效应管集成门电路D、P沟道场效应管集成门电路

考题 TTL集成门电路有何特点,集成门电路的多余端如何处理?

考题 TTL集成逻辑门电路的内部大多是由输入级、()级和输出级组成。

考题 TTL门电路和CMOS门电路的转折电压分别为()V和()V。

考题 CMOS集成门电路的内部电路是由场效应管构成。

考题 TTL逻辑门电路的高电平、低电平与CMOS逻辑门电路的高、低电平值是一样的。

考题 CMOS逻辑门电路可以直连TTL负载。

考题 下面对TTL和CMOS集成电路描述错误的是()。A、TTL集成门电路的电源电压比CMOS集成门电路的电源电压范围宽。B、TTL集成门电路的功耗比CMOS集成门电路的功耗低。C、TTL与非门的输入端可以悬空,CMOS与非门的输入端不可以悬空。D、TTL与非门和CMOS与非门的输入端都可以悬空。

考题 用场效应管构成的门电路称为()门电路。A、MOC型B、TTL型C、CMOS型

考题 TTL集成门电路是指()。A、二极管——三极管集成门电路B、晶体管——晶体管集成门电路C、可控硅——三极管集成门电路

考题 下列说法错误的是()。 A、双极型数字集成门电路是以场效应管为基本器件构成的集成电路B、TTL逻辑门电路是以晶体管为基本器件构成的集成电路C、CMOS集成门电路集成度高,但功耗较高D、CMOS集成门电路集成度高,但功耗较低E、TTL集成门电路集成度高,但功耗较低

考题 按照电路的不同结构,门电路可以分为()与()。A、分立元件门电路,TTL门电路B、集成门电路和双极型电路C、分立元件门电路,集成门电路D、TTL门电路,集成门电路

考题 TTL集成逻辑门电路的内部大多是由()级、()级和()级

考题 TTL集成电路和COMS集成门电路的功耗差不多。

考题 CMOS集成门电路的输入阻抗比TTL门电路高。

考题 CMOS集成门电路的输入阻抗比L集成门电路高。

考题 单选题关于逻辑门电路下列说法正确的是(  )。A 双极型数字集成门电路是以场效应管为基本器件构成的集成电路B TTL逻辑门电路是以晶体管为基本器件构成的集成电路C CMOS集成门电路集成度高,但功耗较高D TTL逻辑门电路和CMOS集成门电路不能混合使用

考题 多选题下面对TTL和CMOS集成电路描述错误的是()。ATTL集成门电路的电源电压比CMOS集成门电路的电源电压范围宽。BTTL集成门电路的功耗比CMOS集成门电路的功耗低。CTTL与非门的输入端可以悬空,CMOS与非门的输入端不可以悬空。DTTL与非门和CMOS与非门的输入端都可以悬空。