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光刻的步骤是哪些?

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考题 光刻工艺一般都要经过涂胶、()、曝光、()、坚膜、腐蚀、()等步骤。

考题 例出光刻的8个步骤,并对每一步做出简要解释。

考题 解释正性光刻和负性光刻的区别?为什么正胶是普遍使用的光刻胶?最常用的正胶是指哪些胶?

考题 LIGA技术的第一步骤是()。A、通过电铸从光刻胶三维结构上产生金属母模B、用光刻的方法在光刻胶上刻出微机械或微器件的三维结构C、用生产用模作大规模复制D、用母模通过电铸或塑铸方法复制许多金属的或其它材料的生产用模

考题 问答题简述什么是光刻胶、光刻胶的用途、光刻对光刻胶的要求。

考题 问答题什么是正光刻胶,负光刻胶?

考题 问答题简述硅栅p阱CMOS的光刻步骤。

考题 填空题常规硅集成电路平面制造工艺中光刻工序包括的步骤有()、()、()、()、()、()、()等。

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考题 问答题光刻工艺分为哪些步骤?

考题 问答题简述光刻工艺步骤。

考题 问答题光刻工艺包括哪些工艺?

考题 判断题在集成电路制造工艺步骤中,光刻与刻蚀能把掩膜版上的图形转移到硅片上来。A 对B 错

考题 问答题列出光刻工艺的十个步骤,并简述每一步的目的。

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考题 判断题最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶是正性光刻胶。A 对B 错

考题 问答题简述光刻工艺的8个基本步骤。

考题 填空题光刻包括两种基本的工艺类型:负性光刻和(),两者的主要区别是所用光刻胶的种类不同,前者是(),后者是()。

考题 问答题列出光刻的8个步骤,并对每一步做出简要解释。

考题 问答题什么是光刻,光刻系统的主要指标有那些?

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