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单选题
设计规定记忆环节中记忆继电器状态与道岔位置的关系为()
A
继电器吸起位置控制道岔转向定位
B
继电器落下位置控制道岔转向定位
C
继电器吸起位置控制道岔转向反位
D
继电器落下位置控制道岔转向反位
参考答案
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解析:
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考题
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考题
判断题岔间记忆环节记忆继电器数量等于其后续道岔数。A
对B
错
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