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填空题
开启电压（阈值电压）的高低与栅下半导体中的（），栅氧化层的（）、（）、（）、（）等有关。载流子浓度越高，开启电压的绝对值（）；栅氧化层厚度越厚，开启电压的绝对值（）。

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考题 在杂质半导体中,多数载流子的浓度取决于();当杂质浓度一定时,少数载流子的浓度与()有关。 A、掺杂种类B、掺杂浓度C、温度D、电压
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考题 杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于()。 A、杂质浓度B、温度C、输入D、电压
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考题 有关滤线栅的使用，错误的是A、栅比高，患者接受的辐射线也就越小B、管电压较低的情况下，不宜选用高栅比栅C、TUBE SIDE：朝向X线管D、RATIO：栅比E、CASSETTE：朝向暗合
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考题 关于滤线栅栅比叙述错误的是A、是栅条高度与栅条间距之比B、是滤线栅的几何特性之一C、越大消除散射线能力越强D、也称曝光倍数E、高电压时应用大栅比
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考题 胸部高电压摄影,滤线栅的栅比不应小于A.0.334028B.0.417361C.0.500694SXB 胸部高电压摄影，滤线栅的栅比不应小于A.0.334028B.0.417361C.0.500694D.0.667361E.0.750694
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考题 有关滤线栅的叙述，错误的是A．滤线栅吸收散射线B．滤线栅不能侧向倾斜C．滤线栅不能侧向偏离栅焦距D．高电压摄影时不用交叉滤线栅E．活动滤线器的运动多采用振动式
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考题 与聚焦栅距离界限值有关的因素是A．栅焦距B．栅密度C．铅容积D．管电压E．毫安秒
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考题 与聚焦栅距离界限值有关的因素是A．栅焦距B．栅密度C．铅容积D．管电压E．X线量
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考题 关于滤线栅栅比的叙述，下列哪项错误A．是栅条高度与栅条间隔之比B．是滤线栅的几何特性之一C．栅比越大消除散射线作用越好D．栅比亦称曝光倍数E．高电压摄影应使用大栅比滤线栅
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考题 关于滤线栅栅比的叙述，错误的是（）A、是栅条高度与栅条间隔之比B、是滤线栅的几何特性之一C、栅比越大消除散射线的作用越好D、栅比也称曝光倍数E、高电压摄影应使用大栅比滤线栅
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考题 关于电压的说法正确的有（）。A、两点电位越高，电压越大；B、电压高低只与两点电位差有关；C、电压高低与参考电位有关；D、电压高低只与电流大小有关。
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考题 以下关于电压的说法正确的有（）。A、两点电位越高，电压越大B、电压高低只与两点电位差有关C、电压高低与参考电位有关D、电压高低只与电流大小有关
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考题 关于滤线栅栅比的叙述下列哪项错误（）A、是栅条高度与栅条间隔之比B、是滤线栅的几何特性之一C、越大消除散射线作用越好D、栅比亦称曝光倍数E、高电压摄影应用大栅比滤线栅
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考题 半导体材料的电阻率与载流子浓度有关，同样的掺杂浓度，载流子的迁移率越大，材料的电阻率（）A、越高B、不确定C、越低D、不变
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考题 结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其RGS大的特点。
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考题 功率MOSFET对驱动电路的要求是（）。A、驱动信号的前后沿陡峭B、驱动信号的电压应高于开启电压C、信号电压应低于栅源击穿电压D、截止时应加小于栅源击穿电压的电压
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考题 有关滤线栅的叙述，错误的是（）。A、滤线栅排除散射线B、滤线栅不能侧向倾斜C、滤线栅不能侧向偏离栅焦距D、高电压摄影时不用交叉滤线栅E、活动滤线器的运动多采用振动式
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考题 霍尔电压的大小与导体的载流子密度有关，它随载流体材料的不同而不同。
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考题 杂质半导体中的多数载流子和少数载流子是如何产生的？杂质半导体中少数载流子的浓度与本征半导体中载流子的浓度相比，哪个大？为什么？
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考题 单选题与聚焦栅距离界限值有关的因素是（　　）。A 栅焦距B 栅密度C 铅容积D 管电压E 毫安秒
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考题 单选题半导体材料的电阻率与载流子浓度有关，同样的掺杂浓度，载流子的迁移率越大，材料的电阻率（）A 越高B 不确定C 越低D 不变
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考题 单选题有关滤线栅的叙述，错误的是（　　）。A 滤线栅吸收散射线B 滤线栅不能侧向倾斜C 滤线栅不能侧向偏离栅焦距D 高电压摄影时不用交叉滤线栅E 活动滤线器的运动多采用振动式
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考题 判断题改变氧化层厚度可以控制阈值电压。A 对B 错
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考题 单选题有关滤线栅的使用，错误的是（）A 栅比高，患者接受的辐射线也就越小B 管电压较低的情况下，不宜选用高栅比栅C TUBESIDE-朝向X线管D RATIO-栅比E CASSETTE-朝向暗合
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考题 多选题对于CMOS晶体管，要得到良好受控的阈值电压，需要控制（）等工艺参数。A氧化层厚度；B沟道中掺杂浓度；C金属半导体功函数；D氧化层电荷。
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考题 单选题关于滤线栅栅比的叙述下列哪项错误（）A 是栅条高度与栅条间隔之比B 是滤线栅的几何特性之一C 越大消除散射线作用越好D 栅比亦称曝光倍数E 高电压摄影应用大栅比滤线栅
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考题 单选题关于滤线栅栅比的叙述，错误的是（）A 是栅条高度与栅条间隔之比B 是滤线栅的几何特性之一C 栅比越大消除散射线的作用越好D 栅比也称曝光倍数E 高电压摄影应使用大栅比滤线栅
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