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填空题
IGBT 的开启电压UGE（th）随温度升高而（），开关速度（）电力MOSFET 。

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考题 ()是电压控制型电力电子器件。A.P-MOSFET、GTOB.TRIAC、GTRC.P-MOSFET、IGBTD.IGBT、SITH
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考题 IGBT有哪些缺点?( )A、开关速度不及电力MOSFETB、开关速度比电力MOSFET快C、电压、电流容量不及GTOD、电压、电流容量比GTO大
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考题 水温传感器中的电阻值（）A、随温度上升而升高B、随温度下降而升高C、随输入电压上升而升高D、随输入电压下降而升高
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考题 交联速度随温度的升高而加快。
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考题 开关电源的24节蓄电池组的温度补偿系数（）A、一般是每升蓄电池温度每升高1℃，电压升高约3mVB、一般是每升蓄电池温度每升高1℃，电压降底约3mVC、电压值不随蓄电池温度的变化而变化D、电压值随电池温度升高而正弦变化
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考题 EDI运行压力损失随温度的升高而降低，其主要原因是（）。A、离子迁移速度随温度的升高而加快B、水的粘度随温度的升高而降低C、树脂对离子的吸收速度随温度的升高而加快D、离子通过膜的扩散能力随温度的升高按指数规律升高
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考题 功率开关器件：主要采用（）或（）；现在已经采用一种新型的开关组合方式：MOSFET和IGBT（）。
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考题 电介质的tgδ值（）。A、随温度升高而下降B、随频率增高而增加C、随电压升高而下降D、随湿度增加而增加
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考题 UPS常用的电力电子器件有：（）A、GTRB、MOSFET；C、IGBT；D、SCR
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考题 IGBT、GTR、GTO和电力MOSFET的驱动电路各有什么特点？
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考题 目前高频开关整流器采用的高频功率开关器件通常有功率MOSFET、IGBT管、晶闸管、功率集成器件等等。
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考题 蠕变与应力松弛速度（）。A、与温度无关B、随温度升高而增大C、随温度升高而减小
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考题 在GTR、GTO、IGBT与MOSFET中，开关速度最快的是（），单管输出功率最大的是（），应用最为广泛的是（）。
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考题 IGBT 的开启电压UGE（th）随温度升高而（），开关速度（）电力MOSFET 。
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考题 试解释Power MOSFET的开关频率高于GTR、IGBT、GTO。
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考题 简要说明全控型电力电子器件GTO、GTR、MOSFET和IGBT各自的优缺点。
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考题 电力MOSFET和IGBT属于（）（电压，电流）驱动型器件。属于电流型驱动的器件有（）、（）、（）等。
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考题 问答题IGBT、GTR、GTO和电力MOSFET的驱动电路各有什么特点？
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考题 填空题在GTR、GTO、IGBT与MOSFET中，开关速度最快的是（），单管输出功率最大的是（），应用最为广泛的是（）。
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考题 填空题电力晶体管GTR；可关断晶闸管（）；功率场效应晶体管MOSFET；绝缘栅双极型晶体管IGBT；IGBT是MOSFET和GTR的复合管。
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考题 单选题GTR、SCR、GTO、TRIAC、MOSFET、IGBT中，哪些是开关电源中变压器常用的驱动元件（）。A GTO和GTR；B TRIAC和IGBT；C MOSFET和IGBT；D SCR和MOSFET；
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考题 问答题试解释Power MOSFET的开关频率高于GTR、IGBT、GTO。
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考题 填空题电力MOSFET和IGBT属于（）（电压，电流）驱动型器件。属于电流型驱动的器件有（）、（）、（）等。
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考题 填空题功率开关器件：主要采用（）或（）；现在已经采用一种新型的开关组合方式：MOSFET和IGBT（）。
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考题 单选题蠕变与应力松弛速度（）。A 与温度无关B 随温度升高而增大C 随温度升高而减小
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考题 单选题EDI运行压力损失随温度的升高而降低，其主要原因是（）。A 离子迁移速度随温度的升高而加快B 水的粘度随温度的升高而降低C 树脂对离子的吸收速度随温度的升高而加快D 离子通过膜的扩散能力随温度的升高按指数规律升高
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