有关电力MOSFET的说法错误的是()。 A.属于电压控制器件B.开关速度慢C.工作频率高D.无二次击穿问题

题目内容（请给出正确答案）

有关电力MOSFET的说法错误的是()。

A.属于电压控制器件

B.开关速度慢

C.工作频率高

D.无二次击穿问题

参考答案

考题 SIT是一种______的器件,其工作频率与电力MOSFET______,而功率容量比电力MOSFET______,因而适用于______场合。

查看答案

考题下列关于IGBT和电力MOSFET的说法正确的有A．IGBT开关速度高于电力MOSFETB．IGBT是电压驱动型器件C．电力MOSFET存在二次击穿问题D．IGBT具有擎住效应

查看答案

考题比较电力MOSFET与IGBT内部结构，说明电力MOSFET在开关特性上的优点。

查看答案

考题 30、下列关于IGBT和电力MOSFET的说法正确的有A．IGBT开关速度高于电力MOSFETB．IGBT是电压驱动型器件C．电力MOSFET存在二次击穿问题D．IGBT具有擎住效应

查看答案

考题 5、电力MOSFET导通的条件是（）且（）。

查看答案

考题下列关于IGBT和电力MOSFET的说法正确的有。A．IGBT是电压驱动型器件B．IGBT具有擎住效应C．IGBT开关速度高于电力MOSFETD．电力MOSFET存在二次击穿问题

查看答案

考题 2、比较电力MOSFET与IGBT内部结构，说明电力MOSFET在开关特性上的优点。

查看答案

考题电力MOSFET导通的条件是（）且（）。

查看答案

考题 6、下面关于MOSFET的跨导gm，说法错误的是________。A．MOSFET跨导是静态参数B．表征了MOSFET的放大能力C．表示MOSFET将栅源电压转换为漏极电流的能力D．随MOSFET工作点变化而变化

查看答案

热门标签