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填空题
采用场效应管FET的混频器比采用双极型管的混频器,产生的组合频率更()。
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考题
单边带发射机中的高中频方案是指_____。A.调制器中的载频比工作频率高B.调制器输出的单边带信号的频率比工作频率高C.最后一级混频器输入端的单边带信号频率比工作频率高D.最后一级混频器的本振频率比工作频率高
考题
单边带发射机中的高中频方案是指()。A、调制器中的载频比工作频率高B、调制器输出的单边带信号的频率比工作频率高C、最后一级混频器输入端的单边带信号频率比工作频率高D、最后一级混频器的本振频率比工作频率高
考题
关于二极管混频器和晶体管混频器,下面说法有误的是()A、二极管混频器组合频率少、动态范围大B、二极管混频器的变频功率增益小于1C、晶体管混频器组合频率多、干扰严重D、晶体管混频器没有变频功率增益
考题
填空题根据干扰产生的原因,混频器的干扰主要有组合频率干扰、副波道干扰、()和互调干扰四种。
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