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问答题
在正向偏置条件下，注入PN结的电流由哪三部分构成？

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考题 PN结正向偏置时 () A、P区接电源正极，N区接电源负极B、N区接电源正极， P区接电源负极C、正向电流较大D、正向电流较小
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考题 就PN结的结电容大小进行比较,正向偏置时比反向偏置时的结电容();就PN结的结电容对性能影响,正向偏置时比反向偏置时的影响()。 A、多B、少C、大D、小
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考题 PN结反向偏置时,处于导通状态,呈低电阻,正向电流大。() 此题为判断题(对，错)。
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考题 三极管工作在饱和区时,两个PN结的偏置:发射极加正向电压,集电极加正向电压。() 此题为判断题(对，错)。
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考题 晶体三极管放大时,它的两个PN结的工作状态为()。 A、均处于正向偏置B、均处于反向偏置C、发射结处于正向偏置，集电结处于反向偏置D、发射结处于反向偏置，集电结处于正向偏置
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考题 三极管处于截止状态时( )。 A.发射结正向偏置，集电结反向偏置B.发射结反向偏置，集电结反向偏置C.发射结正向偏置，集电结正向偏置D.发射结反向偏置，集电结正向偏置
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考题 PN结具有单向导电性,PN结上承受的这一作用方向的电压称()偏置电压,简称PN结正向偏置。 A、正向B、反向C、双向D、逆向
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考题 晶体三极管工作在饱和区,发射结、集电结的偏置应()。 A、发射结正向偏置，集电结反向偏置B、发射结正向偏置，集电结正向偏置C、发射结反向偏置，集电结反向偏置D、发射结反向偏置，集电结正向偏置
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考题 为使三极管工作在放大状态,必须()。 A.发射结和集电结加正向偏置B.发射结加正向偏置，集电结加反向偏置C.发射结加反向偏置，集电结加正向偏置
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考题 晶体管工作在饱和区的条件是（）。A、发射结正向偏置，集电结反向偏置B、发射结反向偏置，集电结正向偏置C、发射结正向偏置，集电结正向偏置D、发射结反向偏置，集电结反向偏置
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考题 了解PN结正向电压—电流特性；多子与少子；非平衡少数载流子注入；正向电流（电池的暗电流）及方向。
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考题 PN结正向电流的大小由温度决定的。
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考题 PN结正向偏置时，其内电场被（）。A、削弱B、增强C、不变D、不确定
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考题 PN结正向偏置时，空间电荷区将变（）。
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考题 与反向偏置相比，正向偏置时PN结的宽度（）、（）等效电阻。
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考题 当PN结外加正向电压时，PN结内多子（）形成较大的正向电流。
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考题 要使晶体三极管对电流起放大作用，则必须使（）。A、发射结正向偏置，而集电结反向偏置B、发射结正向偏置，集电结也正向偏置C、发射结反向偏置，而集电结正向偏置D、发射结反向偏置，集电结也反向偏置
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考题 晶体三极管在截步状态下，有（）关系存在。A、发射结是反向偏置，集电结是正向偏置B、发电极是反向偏置，集电极是反向偏置C、发射结是正向偏置，集电结是反向偏置D、发射结是正向偏置，集电结是正向偏置
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考题 PN结正向偏置时，处于（）状态，呈低电阻，正向电流大。
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考题 PN结外加正向电压就是（）极外电源正，（）极外电源负，这样的结法匀惯上叫正向偏置。
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考题 三极管工作在饱和区时，两个PN结的偏置是：（）加正向电压，（）加正向电压。
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考题 三极管工作在饱和区时，两个PN结的偏置是：发射结加正向电压，集电结加正向电压。
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考题 填空题PN结的正向电流由（）电流、（）电流和（）电流三部分所组成。
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考题 单选题无论是PNP型还是NPN型三极管，工作在放大状态时其条件是（）A 发射结正向偏置，集电结反向偏置B 发射结反向偏置，集电结正向偏置C 发射结正向偏置，集电结正向偏置D 发射结反向偏置，集电结反向偏置
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考题 判断题PN结隔离所依据的基本原理是利用PN结正向偏置时的高阻性。A 对B 错
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考题 填空题PN结的正向电流很大，是因为正向电流的电荷来源是（）；PN结的反向电流很小，是因为反向电流的电荷来源是（）。
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考题 单选题pn结正向偏置时，外加电场削弱势垒区内自建电场，因而势垒区内扩散占优势使p区和n区有少子注入，形成正向（）A 复合电流B 漂移电流C 扩散电流D 漏电流
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