考题
利用外延生长技术在衬底上形成所需的外延层后,还要经过什么工艺,才能形成一颗颗独立的LED芯片?
考题
水淹层的径向侵入特征为:()侵人为中一高水淹层特点,()侵入或无侵为油层或弱水淹层特点,双侧向显示明显。
A、增阻;增阻B、增阻;减阻C、高侵;高侵D、低侵;高侵
考题
LED地材料制备包括什么?()
A.外延片地制备B.衬底材料地制备C.外延片地生长D.衬底材料地生长
考题
外延生长方法比较多，其中主要的有（）外延、（）外延、金属有机化学气相外延、分子束外延、（）、固相外延等。
考题
硅外延生长工艺包括（）。A、衬底制备B、原位HCl腐蚀C、生长温度，生长压力，生长速度D、尾气的处理
考题
延生长方法比较多，其中主要的有（）外延、（）外延、金属有机化学气相外延、（）外延、原子束外延、固相外延等。
考题
外延层的迁移率低的因素有原材料纯度（）；反应室漏气；外延层的晶体（）；系统沾污等；载气纯度不够；外延层晶体缺陷多；生长工艺条件不适宜。
考题
LED的材料制备包括什么（）。A、外延片的制备B、衬底材料的制备C、外延片的生长D、衬底材料的生长
考题
目前LED产业链主要包括（）。A、衬底制造B、外延及芯片制造C、封装D、应用
考题
高阻层底部梯度视电阻率曲线的极大值位于（）。A、高阻层顶界面B、高阻层中点C、高阻层底界面
考题
发电机定子绝缘外表面防晕层所用材料，在槽中部为高阻半导体材料，在端部为低阻半导体材料。
考题
在高阻层，顶部梯度视电阻率曲线的极大值位于：（）A、高阻层顶底面；B、高阻层中点；C、高阻层顶界面；
考题
地线接地电阻超标时，应采取埋深接地体、设置外延接地体、换土、在接地体周围添加降阻剂、及采用新技术、新材料等措施。
考题
肺循环的特点是（ ）A、低压、低阻、低容B、低压、高阻、低容C、高压、高阻、低容D、低压、低阻、高容E、高压、低阻、低容
考题
判断题外延就是在单晶衬底上淀积一层薄的单晶层，分为同质外延和异质外延两大类。A
对B
错
考题
填空题根据向衬底输送原子的方式可以把外延分为：（）、（）、（）。
考题
填空题在外延工艺中，如果膜和衬底材料（），例如硅衬底上长硅膜，这样的膜生长称为（）；反之，膜和衬底材料不一致的情况，例如硅衬底上长氧化铝，则称为（）。
考题
判断题高阻衬底材料上生长低阻外延层的工艺称为正向外延。A
对B
错
考题
问答题硅气相外延工艺采用的衬底不是准确的晶向，通常偏离（100）或（111）等晶向一个小角度，为什么？
考题
问答题什么是外延层？为什么硅片上要使用外延层？
考题
判断题外延就是在单晶衬底上淀积一层薄的单晶层，即外延层。A
对B
错
考题
判断题发电机定子绝缘外表面防晕层所用材料，在槽中部为高阻半导体材料，在端部为低阻半导体材料。A
对B
错
考题
单选题肺循环的特点是（ ）A
低压、低阻、低容B
低压、高阻、低容C
高压、高阻、低容D
低压、低阻、高容E
高压、低阻、低容
考题
单选题水淹层的径向侵入特征为：（）侵人为中一高水淹层特点，（）侵入或无侵为油层或弱水淹层特点，双侧向显示明显。A
增阻；增阻B
增阻；减阻C
高侵；高侵D
低侵；高侵
考题
填空题砷化镓膜材料主要通过外延技术制备。主要外延方法有（）外延、液相外延和（）外延
考题
判断题通常称在低阻衬底材料上生长高阻外延层的工艺为正向外延，反之称为反向外延。A
对B
错