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单选题
挤压研磨抛光的特点是()。
A
适用范围小,但抛光效果好,研磨抛光效率高
B
适用范围广,抛光效果好,研磨抛光效率高
C
适用范围广,抛光效果一般,但研磨抛光效率高
D
适用范围广,抛光效果好,但研磨抛光效率低
参考答案
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解析:
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FC/PC接头的含义是()。
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单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包B
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单晶生长→整形→切片→蚀刻→晶片研磨及磨边→抛光→硅片检测→打包D
单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→抛光→蚀刻→硅片检测→打包
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单选题挤压研磨抛光的特点是()。A
适用范围小,但抛光效果好,研磨抛光效率高B
适用范围广,抛光效果好,研磨抛光效率高C
适用范围广,抛光效果一般,但研磨抛光效率高D
适用范围广,抛光效果好,但研磨抛光效率低
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单选题FC/PC接头的含义是()。A
方形光纤接头/微凸球面研磨抛光B
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圆形光纤接头/微凸球面研磨抛光
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单选题FC/PC尾纤接头的含义为()。A
圆形光纤接头/面呈8度角并作微凸球面研磨抛光B
圆形光纤接头/微凸球面研磨抛光C
卡接式圆型光纤接头/面呈8度角并作微凸球面研磨抛光D
卡接式圆形光纤接头/微凸球面研磨抛光
考题
单选题正确的框图简要说明硅片制备主要工艺流程是()A
单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包B
单晶生长→切片→整形→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包C
单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→抛光→蚀刻→硅片检测→打包D
单晶生长→整形→蚀刻→抛光→硅片检测→切片→晶片研磨及磨边→打包
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填空题按研磨抛光过程中人参与的程度分,研磨抛光可分为()研磨抛光和()研磨抛光。
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