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单选题
关于抑制性突触后电位产生过程的描述,错误的是()
A
突触前轴突末梢去极化
B
Ca2+由膜外进入突触前膜内
C
突触小泡释放递质,并与突触后膜受体结合
D
突触后膜对Cl-或K+的通透性升高
E
突触后膜膜电位增大,引起突触后神经元发放冲动
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考题
关于呼叫的建立描述,下列哪种说法是错误的?()
A.SDCCH与SACCH是成对产生的B.SDCCH与TCH是成对产生的C.TCH与SACCH是成对产生的D.TCH与FACCH不是成对产生的
考题
关于抑制性突触后电位的产生过程的描述,哪一项是不正确的A.突触前末梢去极化
B.Ca由膜外进入突触前膜内
C.突触小泡释放递质,并与突触后膜受体结合
D.突触后膜对K、Cl或Cl的通透性升高
E.突触后膜膜电位增大,引起突触后神经元发放冲动
考题
下列关于抑制性突触后电位的产生过程的描述,错误的是( )。A.
B.突触前末梢去极化
C.突触小泡释放递质,并与突触后膜受体结合
D.
E.突触后膜膜电位增大,引起突触后神经元发放冲动
考题
关于过程块以及过程赋值描述中,下列正确的是()A、在过程赋值语句中表达式左边的信号一定是寄存器类型B、过程块中的语句一定是可综合的C、在过程块中,使用过程赋值语句给wire赋值不会产生错误D、过程块中时序控制的种类有简单延迟、边沿敏感和电平敏感
考题
关于抑制性突触后电位产生过程的描述,错误的是()A、突触前轴突末梢去极化B、Ca2+由膜外进入突触前膜内C、突触小泡释放递质,并与突触后膜受体结合D、突触后膜对Cl-或K+的通透性升高E、突触后膜膜电位增大,引起突触后神经元发放冲动
考题
单选题关于抑制性突触后电位产生过程的描述,哪一项是错误的?()A
突触前轴突末梢去极化,Ca2+由膜外进入突触前膜内B
突触前轴突末梢释放兴奋性递质减少C
突触后膜对K+、C1-,特别是Cl-的通透性增高D
突触后膜出现超极化电位
考题
单选题以下关于酵母人工染色体(YAC)在细胞分裂过程中发生分离错误的描述,正确的是()。A
11000bp的YAC将产生50%的错误B
55000bp的YAC将产生1.5%的错误C
长于100000bp的YAC产生0.3%的错误D
以上都对
考题
单选题关于呼叫的建立描述,下列哪种说法是错误的?()A
SDCCH与SACCH是成对产生的B
SDCCH与TCH是成对产生的C
TCH与SACCH是成对产生的D
TCH与FACCH不是成对产生的
考题
单选题关于抑制性突触后电位产生过程的描述,哪一项是错误的?( )A
突触前轴突末梢去极化B
Ca2+由膜外进入突触前膜内C
突触小泡释放递质,并与突触后膜受体结合D
突触后膜对Cl-或K+的通透性升高E
突触后膜膜电位增大,引起突触后神经元发放冲动
考题
单选题关于棘慢复合波的产生机制,正确的是( )。A
棘波、慢波是由兴奋性突触后电位构成B
棘波、慢波是由抑制性突触后电位构成C
棘波是由抑制性突触后电位构成,慢波是由兴奋性突触后电位构成D
棘波是由兴奋性突触后电位构成,慢波是由抑制性突触后电位构成E
棘波、慢波是由突触前电位构成
考题
单选题下列关于抑制性突触后电位的产生过程的描述,错误的是( )。A
Ca2+由膜外进入突触前膜内B
突触前末梢去极化C
突触小泡释放递质,并与突触后膜受体结合D
突触后膜对K+或Cl-的通透性升高E
突触后膜膜电位增大,引起突触后神经元发放冲动
考题
问答题试述兴奋性与抑制性突触后电位的作用与产生原理。
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