填空题硅光电池、PIN型光电二极管、和雪崩光电二极管，三者中时间常数最大的是（）。

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考题下列光电器件,哪种器件正常工作时需加100－200V的高反压()。 A、Si光电二极管B、PIN光电二极管C、雪崩光电二极管D、光电三极管

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考题光电二极管(PIN)具有雪崩效应。() 此题为判断题(对，错)。

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考题半导体色敏传感器又称为( )。 A. 双结光电二极管B. 雪崩式光电二极管C. PIN 型硅光电式二极管D. 光电池

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考题试比较PN结光电二极管、PIN光电二极管以及APD雪崩光电二极管的优缺点。

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考题 PIN光电二极管,因无雪崩倍增作用,因此其雪崩倍增因子为()A. G>1B. G PIN光电二极管,因无雪崩倍增作用,因此其雪崩倍增因子为()A. G>1B. GC. G=1D. G=0

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考题半导体光电检测器有()。A.PIN光电二极管 B.APD雪崩光电二极管 C.LED D.LD

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考题目前光纤通信系统中常用的半导体光电检测器有()。A.PIN光电二极管 B.APD雪崩光电二极管 C.面发光型LED D.边发光型LED

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考题目前光纤通信常用的半导体光电检测器，如（）A、PN结光电二极管B、PIN光电二极管C、APD雪崩光电二极管D、电容

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考题光电二极管（PIN）具有雪崩效应。

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考题不但具有光/电转换作用，而且具有内部放大作用的半导体光电检测器是（）。A、PIN光电二极管B、APD雪崩光电二极管

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考题光电检测器的种类有PN结光电二极管和（）三种。A、发光二极管、PIN光电二极管B、APD雪崩光电二极管、双基极二极管C、PIN光电二极管、APD雪崩光电二极管D、双基极二极管、混频二极管

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考题常用的半导体光电检测器有PIN光电二极管和（）两种。A、发光二极管B、APD雪崩光电二极管C、双基极二极管D、混频二极管

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考题光发射机中的重要器件，目前主要采用（）或（）。A、半导体激光器（LD）B、半导体发光二极管（LED）C、光电二极管（PIN）D、雪崩光电二极管（APD）

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考题光电检测器目前主要采用（）或（）。A、半导体激光器（LD）B、半导体发光二极管（LED）C、光电二极管（PIN）D、雪崩光电二极管（APD）

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考题利用半导体的自发辐射而制成的发光器件是（）。A、半导体激光器B、发光二极管C、PIN光电二极管D、雪崩光电二极管

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考题常用的光电检测器有光电二极管（PIN）和雪崩光电二极管（APD）两种。

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考题半导体色敏传感器又称为（）。A、双结光电二极管B、雪崩式光电二极管C、PIN型硅光电式二极管D、光电池

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考题采用硅和锗材料的雪崩光电二极管的响应波长范围分别为0.5~1.5μm和1~1.5μm

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考题单选题光电检测器的种类有PN结光电二极管和（）三种。A 发光二极管、PIN光电二极管B APD雪崩光电二极管、双基极二极管C PIN光电二极管、APD雪崩光电二极管D 双基极二极管、混频二极管

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考题填空题硅光电池、PIN型光电二极管、和雪崩光电二极管，三者中时间常数最大的是（）。

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考题判断题光电二极管（PIN）具有雪崩效应。A 对B 错

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考题多选题光电检测器目前主要采用（）或（）。A半导体激光器（LD）B半导体发光二极管（LED）C光电二极管（PIN）D雪崩光电二极管（APD）

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考题单选题PIN光电二极管，因无雪崩倍增作用，因此其雪崩倍增因子为（）。A G＞1B G＜1C G＝1D G＝0

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考题多选题光发射机中的重要器件，目前主要采用（）或（）。A半导体激光器（LD）B半导体发光二极管（LED）C光电二极管（PIN）D雪崩光电二极管（APD）

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考题单选题若要检测脉宽为10-7s的光脉冲，应选用（）为光电变换器件。A PIN型光电二极管B 3DU型光电三极管C PN结型光电二极管D 硅光电池

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