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单选题
光电发射材料K2CsSb射长波限为680nm，该光电发射材料的光电发射阈值的大小为（）
A
1.82×103J
B
1.82×103eV
C
1.82J
D
1.83eV
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考题
在低能时光电效应是丫射线与物质相互作用的最主要形式，下列说法正确的是A、入射γ光子能量很低时，光电子向入射γ光子的正前方(0°)发射B、入射γ光子能量很低时，光电子向入射γ光子的正后方(180°)发射C、入射γ光子能量很低时，光电子在垂直于入射γ光子方向上发生D、入射γ光子能量增加时，光电子逐渐向后角发射E、入射γ光子能量减少时，光电子逐渐向前角发射
考题
光电管的实测伏安特性曲线不同于理论曲线的原因是实测的光电流实际上是阴极光电子发射形成的（）、阳极光电子发射形成的（）和光电管的（）的代数和。A、暗电流；反向电流；光电流B、光电流；反向电流；暗电流C、光电流；暗电流；反向电流D、反向电流；光电流；暗电流
考题
在光线作用下电子逸出物体表面向外发射称外光电效应；相应的器件如光电管、光电倍增管入射光改变材料内部电阻率的现象称（）；相应的器件如光敏电阻半导体材料吸收光能后在PN结上产生电动式的效应称（）。相应的器件如光电池、光电仪表。
考题
单选题在低能时光电效应是γ射线与物质相互作用的最主要形式，下列说法正确的是（）A
入射γ光子能量很低时，光电子向入射γ光子的正前方（0°）发射B
入射γ光子能量很低时，光电子向入射γ光子的正后方（180°）发射C
入射γ光子能量很低时，光电子在垂直于入射γ光子方向上发生D
入射γ光子能量增加时，光电子逐渐向后角发射E
入射γ光子能量减少时，光电子逐渐向前角发射
考题
单选题对于光电发射效应，下列说法不正确的是（）A
光电发射效应，又称外光电效应B
金属光电发射量子效率都很低，且大多数金属的光谱响应都在紫外或远紫外区C
半导体光电发射的量子效率远高于金属：光电发射的过程是体积效应，表面能带弯曲降低了电子逸出功，特别是负电子亲和势材料（NEA）D
良好的光电发射体，应该具备的基本条件之一是表面势垒高
考题
多选题下列选项中，符合光电倍增管电子光学系统作用的选项有（）A将光电阴极发射的光电子尽可能多的汇聚到第一倍增级B使光电阴极发射的光电子到达第一倍增级的渡越时间零散最小C使达到第一倍增级的光电子能多于光电阴极的发射光电子量D使进入光电倍增管的光子数增加
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