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填空题
偏置曲线(Offset Curve)时,当要取消在曲线偏置线串中的自交区时,利用()选项。

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考题 当晶体管截止时,它的发射结必须是()偏置或()偏置。

考题 三极管工作有三个区域,在放大区时,偏置为()和();饱和区,偏置为()和();截止区,偏置为()和()。

考题 晶体管工作在饱和区的条件是()。A、发射结正向偏置,集电结反向偏置B、发射结反向偏置,集电结正向偏置C、发射结正向偏置,集电结正向偏置D、发射结反向偏置,集电结反向偏置

考题 在分压式电流负反馈偏置电路中,当减小上偏置电阻Rb1时,基极电流IB(),集电极电流IC(),电压VCE();当增大下偏置电阻Rb2时,集电极电流IC(),当增大发射极电阻Re时集电极电流IC()。

考题 摩托罗拉General参数中,“temporary_offset”的参数名称是临时偏置

考题 晶体三极管的工作状态分为三个区域,当发射结正向偏置,集电结反向偏置时,曲线近似水平的部分称为()。

考题 BJT用来放大时,应使发射结处于()偏置,集电结型处于()偏置;而工作在饱和区时,发射结处于()偏置,集电结型处于()偏置。

考题 三极管工作在放大状态时,发射结应()偏置,集电结应()偏置。若工作在饱和状态时,发射结应()偏置,集电结应()偏置。若工作在截止状态时,发射结应()偏置,集电结应()偏置。

考题 PN结具有单向导电性,当P区接电源的正极,N区接电源的负极,叫做()。A、正向偏置B、反向偏置C、对中D、非偏置

考题 当稳压管在正常稳压工作时,其两端施加的外部电压的特点为()A、反向偏置但不击穿B、正向偏置但不击穿C、反向偏置且被击穿D、正向偏置且被击穿

考题 放大电路正常工作时要满足()。A、发射结集电结都正向偏置B、发射结反向偏置,集电结正向偏置C、发射结集电结都反向偏置D、发射结正向偏置,集电结反向偏置

考题 单选题在两组对象之间建立相交曲线,应该采用()命令。A 二次截面曲线(Section Curve)B 抽取曲线(Extract Curve)C 组合投影(Combined Projection)D 交线(Intersection Curve)

考题 判断题曲线的偏置采取关联输出时,生成的偏移曲线与原来曲线具有相关性,即生成的偏移曲线发生改变,原来的两曲线也发生改变。A 对B 错

考题 单选题下列各条命令中,可以选择“点”的是()。A 交点B 偏置曲线C 相交曲线D 投影曲线

考题 单选题某个面上有一条样条曲线,现在需要将该样条曲线在面轮廓内按距离偏置,应该使用如下的哪个命令()A 面内偏置B 面偏置C 偏置→曲线沿面D 编辑→变形→面样条线

考题 问答题曲线偏置有哪几种类型?

考题 填空题过曲线网格特征(Through Curve Mesh)最多可以选择()条主曲线线串和()条交叉曲线线串。

考题 单选题()工具可以将草图曲线按一定的距离向指定方向偏置复制出一条新的曲线,偏置对象为封闭的草图元素则将曲线元素放大或缩小。A 镜像曲线B 投影曲线C 偏置曲线D 添加现有曲线

考题 单选题某个面上有一条样条线,现需要将该样条线在面轮廓内按距离偏置,应该使用如下哪个命令()A 面内偏置B 面偏置C 偏置-曲线沿面D 编辑-变形-面样条线

考题 填空题晶体三极管的工作状态分为三个区域,当发射结正向偏置,集电结反向偏置时,曲线近似水平的部分称为()。

考题 单选题硅光电池在()偏置时,其光电流与入射辐射通量有良好的线性关系,且动态范围较大。A 恒流B 自偏置C 零伏偏置D 反向偏置

考题 填空题在使用偏置面(Offset Face)和偏置曲面(Offset Surface)功能无法完成对面的偏置操作时,可以使用()命令大致偏置一个距离,从而创建一个没有自相交、锐边或拐角的偏置片体。

考题 单选题()电路的特点是光生伏特器件在自偏置电路中具有输出功率,且当负载电阻为最佳负载时具有最大的输出功率。A 自偏置B 恒流C 零伏偏置D 反向偏置

考题 填空题偏置曲线(Offset Curve)的类型包括()、()、()和()

考题 单选题硅光二极管在适当偏置时,其光电流与入射辐射通量有良好的线性关系,且动态范围较大。适当偏置是()A 恒流B 自偏置C 零伏偏置D 反向偏置

考题 单选题硅光电池在()偏置时,其光电流与入射辐射量有良好的线性关系,且动态范围较大。A 恒流B 自偏置C 零伏偏置D 反向偏置

考题 单选题利用()工具可以将二维曲线、实体或片体的边按草图平面的法方向进行投影,将其变为草图曲线。A 投影曲线B 添加现有曲线C 偏置曲线D 镜像曲线