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单选题
开关频率在()时,应用功率大于5KW的IGBT较为合适。
A

1—1.5KHz

B

1.5--2KHz

C

大于2KHz

D

以上都对


参考答案

参考解析
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考题 辅助逆变器功率模块采用的开关元器件是()。 A.IGBT;B.AGATE;C.SIV;D.GTO;

考题 目前高频开关整流器采用的高频功率开关器件通常有功率MOSFET、IGBT管、晶闸管、功率集成器件等等。 () 此题为判断题(对,错)。

考题 一般电机的额定功率在()以下时,可采用直接起动方式。A、10KwB、7KwC、5Kw

考题 逆变器的主要部件是大功率半导体开关元件,主要有GTO、IGBT和IPM。

考题 GBT与场管的区别,正确的有()A、场管比IGBT频率高B、IGBT比场管导通压降低C、单支IGBT的 功率容量比场管容量大D、IGBT的开关损耗比场管大E、IGBT 适合低于20KHZ的逆变电路,场管适合200KHZ以下的逆变电路

考题 目前在大功率开关电源的AC/DC变换器中,常用的功率开关管是()。A、BridgerectifierB、SCRC、MOSFETD、IGBT

考题 功率开关器件可以说是开关电源的心脏,下面哪一种开关器件不是开关电源所采用的()。A、MOSFET功率场效应管B、IGBT绝缘栅双极晶体管C、GTR晶闸管D、BJT双极型晶体管

考题 功率大于0.25—5KW的设备,外接地螺栓不小于()。A、M6B、M8C、M10

考题 通用变频器的逆变电路中功率开关管现在一般采用()模块。     A、晶闸管B、MOSFETC、GTRD、IGBT

考题 IGBT与场管的区别,正确的有()A、场管比IGBT频率高B、IGBT比场管导通压降低C、单支IGBT的 功率容量比场管容量大D、IGBT的开关损耗比场管大E、IGBT 适合低于20KHZ的逆变电路,场管适合200KHZ以下的逆变电路

考题 功率开关器件:主要采用()或();现在已经采用一种新型的开关组合方式:MOSFET和IGBT()。

考题 辅助逆变器功率模块采用的开关元器件是()。A、IGBT;B、AGATE;C、SIV;D、GTO;

考题 目前高频开关整流器采用的高频功率开关器件通常有功率MOSFET、IGBT管、以及两者混合管和()等等。A、晶闸管B、可控硅C、功率集成器件D、晶体管

考题 目前高频开关整流器采用的高频功率开关器件通常有功率MOSFET、IGBT管、晶闸管、功率集成器件等等。

考题 从最大容量、开关频率和驱动电路三方面比较SCR、Power MOSFET和IGBT的特性。

考题 在GTR、GTO、IGBT与MOSFET中,开关速度最快的是(),单管输出功率最大的是(),应用最为广泛的是()。

考题 在通常情况下,电力电子器件功率损耗主要为()而当器件开关频率较高时,功率损耗主要为()。

考题 试解释Power MOSFET的开关频率高于GTR、IGBT、GTO。

考题 IGBT的开关频率是多少?

考题 在全控型器件中,IGBT的开关速度低,开关损耗大。

考题 开关频率在()时,应用功率大于5KW的IGBT较为合适。A、1—1.5KHzB、1.5--2KHzC、大于2KHzD、以上都对

考题 在我国电力系统中,发电总功率大于消耗的总功率时,系统频率可高于50Hz。

考题 填空题在GTR、GTO、IGBT与MOSFET中,开关速度最快的是(),单管输出功率最大的是(),应用最为广泛的是()。

考题 问答题试解释Power MOSFET的开关频率高于GTR、IGBT、GTO。

考题 填空题功率开关器件:主要采用()或();现在已经采用一种新型的开关组合方式:MOSFET和IGBT()。

考题 问答题IGBT的开关频率是多少?