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IGBT的开关频率是多少？

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考题 SCR、GTR、GTO、VMOSFET和IGBT几种常用电力电子器件中,按开关频率从低到高依次排列的顺序为()。 A.SCR、GTR、GTO、VMOSFE、IGBTB.SCR、GTO、GTR、VMOSFE、IGBTC.GTO、SCR、GTR、IGBT、VMOSFED.SCR、GTO、GTR、IGBT、VMOSFE
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考题 IGBT有哪些缺点?( )A、开关速度不及电力MOSFETB、开关速度比电力MOSFET快C、电压、电流容量不及GTOD、电压、电流容量比GTO大
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考题 地铁电动列车VVVF逆变器采用的是IGBT开关元件此题为判断题(对，错)。
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考题 IGBT属于（）控制型元件。A、电流B、电压C、电阻D、频率
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考题 TheSwitch变流器采用了基于IGBT开关元件的被动整流技术方案
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考题 GBT与场管的区别，正确的有（）A、场管比IGBT频率高B、IGBT比场管导通压降低C、单支IGBT的 功率容量比场管容量大D、IGBT的开关损耗比场管大E、IGBT 适合低于20KHZ的逆变电路，场管适合200KHZ以下的逆变电路
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考题 目前在大功率开关电源的AC/DC变换器中，常用的功率开关管是（）。A、BridgerectifierB、SCRC、MOSFETD、IGBT
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考题 25T型客车的逆变器箱主电路为（）电路，采用IGBT作为开关器件，具有开关频率高、驱动简单、损耗低的特点。A、单相桥式大电流型B、单相桥式电压型C、三相桥式电压型D、三相桥式大电流型
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考题 IGBT与场管的区别，正确的有（）A、场管比IGBT频率高B、IGBT比场管导通压降低C、单支IGBT的 功率容量比场管容量大D、IGBT的开关损耗比场管大E、IGBT 适合低于20KHZ的逆变电路，场管适合200KHZ以下的逆变电路
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考题 功率开关器件：主要采用（）或（）；现在已经采用一种新型的开关组合方式：MOSFET和IGBT（）。
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考题 辅助逆变器功率模块采用的开关元器件是（）。A、IGBT；B、AGATE；C、SIV；D、GTO；
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考题 下列全控型器件中开关速度最快的是（）。A、GTOB、GTRC、MOSFETD、IGBT
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考题 目前高频开关整流器采用的高频功率开关器件通常有功率MOSFET、IGBT管、晶闸管、功率集成器件等等。
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考题 从最大容量、开关频率和驱动电路三方面比较SCR、Power MOSFET和IGBT的特性。
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考题 试解释Power MOSFET的开关频率高于GTR、IGBT、GTO。
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考题 在全控型器件中，IGBT的开关速度低，开关损耗大。
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考题 IGBT是电压型驱动的全控型开关器件。
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考题 IGBT的开关特性显示关断波形存在（）现象。
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考题 开关频率在（）时，应用功率大于5KW的IGBT较为合适。A、1—1.5KHzB、1.5--2KHzC、大于2KHzD、以上都对
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考题 单选题GTR、SCR、GTO、TRIAC、MOSFET、IGBT中，哪些是开关电源中变压器常用的驱动元件（）。A GTO和GTR；B TRIAC和IGBT；C MOSFET和IGBT；D SCR和MOSFET；
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考题 问答题试解释Power MOSFET的开关频率高于GTR、IGBT、GTO。
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考题 单选题IGBT属于（）控制型元件。A 电流B 电压C 电阻D 频率
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考题 填空题IGBT 的开启电压UGE（th）随温度升高而（），开关速度（）电力MOSFET 。
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考题 填空题功率开关器件：主要采用（）或（）；现在已经采用一种新型的开关组合方式：MOSFET和IGBT（）。
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考题 问答题从最大容量、开关频率和驱动电路三方面比较SCR、Power MOSFET和IGBT的特性。
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考题 单选题开关频率在（）时，应用功率大于5KW的IGBT较为合适。A 1—1.5KHzB 1.5--2KHzC 大于2KHzD 以上都对
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考题 问答题IGBT的开关频率是多少？
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