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合金散射是砷化镓晶体中所特有的散射机制。


参考答案和解析
电离杂质散射 或者 电离杂质
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考题 射线在检验物体时的散射可分为哪几种?() A、空间散射、物体表面散射、地面散射B、物体表面散射、物体中间散射、物体的1/4层处散射C、前面散射、背底散射、边缘散射D、空间散射、物体散射、底片本身散射

考题 散射线含有率的正确定义是A.作用在胶片上的X线量B.作用在胶片上的散射线量C.原发射线与散射线之比D.原发射线中含有散射线的量E.散射线在作用于胶片上的全部射线量中所占比率

考题 薄膜太阳能电池的半导体薄膜不能是()。 A、多晶体B、非晶体C、砷化镓D、单晶体

考题 发光二极管一般是由半导体材料砷化镓(GaAs)制成。

考题 镓砷磷是砷化镓和磷化镓的固溶体,是一种()材料。

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考题 砷化镓相对于硅的优点是什么?

考题 下列材料属于N型半导体是()。A、硅中掺有元素杂质磷(P)、砷(As)B、硅中掺有元素杂质硼B.、铝(Al)C、砷化镓掺有元素杂质硅(Si)、碲(TE)D、砷化镓中掺元素杂质锌、镉、镁

考题 产生背向散射光的主要原因是()A、波导散射B、布里渊散射C、瑞利散射

考题 构成TMR的散射线剂量的是()A、模体的散射B、一级准直器散射C、二级准直器散射D、侧向散射E、反向散射

考题 霍尔元件是根据霍尔效应原理制成的磁电转换元件,常用()及锑化铟等半导体材料制成。A、锗B、硅C、砷化镓D、砷化铟

考题 由被检工件引起的散射线是()A、背散射B、侧面散射C、正向散射D、全都是

考题 在理想晶体中,只有()能散射电子。A、杂质B、声子C、电子D、缺陷

考题 散射线在作用于()上的()中所占比率,称为散射线含有率。影响散射线含有率的因素主要包括()、()及照射野等。

考题 ()是最常用的一种半导体材料。A、砷化镓B、硅C、磷D、锢

考题 砷化锌,砷化镓

考题 .LED的制成原料包含()。A、锗化钾B、砷化镓C、磷化镓D、氰化钾

考题 在理想晶体中,只有声子能散射电子。

考题 填空题晶体中热阻的主要来源是()间碰撞引起的散射。

考题 单选题薄膜太阳能电池的半导体薄膜不能是()。A 多晶体B 非晶体C 砷化镓D 单晶体

考题 多选题.LED的制成原料包含()。A锗化钾B砷化镓C磷化镓D氰化钾

考题 问答题简述砷化镓单晶的主要制备方法。

考题 问答题砷化镓相对于硅的主要缺点是什么?

考题 问答题砷化镓相对于硅的优点是什么?

考题 填空题散射线在作用于()上的()中所占比率,称为散射线含有率。影响散射线含有率的因素主要包括()、()及照射野等。

考题 单选题()是最常用的一种半导体材料。A 砷化镓B 硅C 磷D 锢

考题 单选题射线在检验物体时的散射可分为哪几种?()A 空间散射、物体表面散射、地面散射B 物体表面散射、物体中间散射、物体的1/4层处散射C 前面散射、背底散射、边缘散射D 空间散射、物体散射、底片本身散射

考题 填空题半导体材料中锗和硅属于()结构,砷化镓属于()结构。