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在SRH理论中,在小注入情况下,寿命只取决于n0、p0、n1和p1中最大的值。对于强n型半导体,下述的()是正确的。

A.在n0、p0、n1和p1中,n0最大,τ≈1 /Ntrp

B.在n0、p0、n1和p1中,p0最大,τ≈p0 /Ntrpn0

C.在n0、p0、n1和p1中,n1最大,τ≈n1 /Ntrpn0

D.p0、n1和p1中,p1最大,τ≈p1 /Ntrp(n0+p0)


参考答案和解析
在 n 0 、 p 0 、 n 1 和 p 1 中, n 0 最大, τ ≈ 1 / N t r p
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考题 以下程序中函数 f 的功能是在数组 x 的 n 个数 ( 假定 n 个数互不相同 ) 中找出最大最小数 , 将其中最小的数与第一个数对换 , 把最大的数与最后一个数对换 . 请填空 .#include stdio.hviod f(int x[],int n){ int p0,p1,i,j,t,m;i=j=x[0]; p0=p1=0;for(m=0;mn;m++){ if(x[m]i) {i=x[m]; p0=m;}else if(x[m]j) {j=x[m]; p1=m;}}t=x[p0]; x[p0]=x[n-1]; x[n-1]=t;t=x[p1]; x[p1]= _[14]_______ ; _[15]_______ =t;}main(){ int a[10],u;for(u=0;u10;u++) scanf("%d",a[u]);f(a,10);for(u=0;u10;u++) printf("%d",a[u]);printf("\n");}

考题 计数标准型抽样检验中,关于p0,p1值(p01,)的选取,下列说法正确的有( )。A.p0,p1值(p0<p0)应由供需双方协商决定。作为选取p0,p1的标准,取α=0.05,β =0.10B.确定p0时,应考虑不合格或不合格品类别及其对顾客损失的严重程度C.p1的选取,一般应使p1与p0拉开一定的距离,即要求p1>p0,p1/p0过小,会增加抽检产品的数量,使检验费用增加D.A类不合格或不合格品的p0值要选得比B类的要大;而B类不合格或不合格品的p0值又应选得比C类的要小E.决定p1、p0时,要综合考虑生产能力、制造成本、产品不合格对顾客的损失、质量要求和检验费用等因素

考题 在计数标准型抽样检验中,确定p0、p1的值时,下述说法正确的是( )。A.p1/p0的值越小,判断精度越高B.p1/p0的值过小,抽检产品的数量会增加C.p1/p0的值过大,抽样的严格度越高D.p1/p0的值过大,会放松对质量的要求E.p1/p0过大对使用方不利

考题 计数标准型抽样检验中,确定抽检方案的基本要素是p0,p1,关于p0,p1值(p0p1)的选取说法正确的有( )。A.p0,p1值(P0p1)应由供需双方协商决定B.确定p0时,应考虑不合格或不合格品类别及其对顾客损失的严重程度C.p1的选取,一般应使p1与p0拉开一定的距离,即要求p1p0,IEC推荐p1/p0一般取1.5,2.0或3.0D.P1/P0的控制有一定。p1/P0过小,放松对质量的要求,对使用方不利,但p1/P0过大会增加抽检产品的数量,使检验费用增加E.A类不合格或不合格品的p0值要选得比B类的要大;而B类不合格或不合格品的p0值又应选得比C类的要小

考题 在GB/T 13262中,确定抽检方案的基本要素为( )。 A. AQL B. RQL C. N D. p0、p1

考题 在计数标准型抽样检验中,确定p0、p1的值时,下述说法正确的是( )。 A. p1/p0的值越小,判断精度越高 B.p1/p0的值过小,抽检产品的数量会增加 C.p1/p0的值过大,抽样的严格度越高 D.p1/p0的值过大,会放松对质量的要求 E.p1/p0过大对使用方不利

考题 关于P型.N型半导体内参与电的粒子,下列说法正确的是()A、无论是P型还是N型半导体,参与导电的都是自由电子和空穴B、P型半导体中只有空穴导电C、N型半导体中只有自由电子参与导电D、在半导体中有自由电子.空穴.离子参与导电

考题 在AO*算法中,已知h(n)函数对一个与或图中各节点的假想估值如下:h(n0)=3,h(n1)=2,h(n2)=4,h(n3)=4,h(n4)=1,h(n5)=1,h(n6)=2,h(n7)=h(n8)=0(目标节点)。此外假设k-连接符的耗散值为k。开始时,初始节点n0,n0被扩展,生成出节点n1、n4和n5,一个1-连接符指向n1,一个2-连接符指向n4和n5。这两个连接符之间是"或"的关系。问指针将指向()A、n0的1-连接符B、n0的2-连接符C、n4D、n5

考题 关于N型半导体的下列说法,错误的是:()A、自由电了是多数载流子B、在二极管中由N型半导体引出的线是二极管的阴极C、在纯净的硅晶体中三价元素硼,可形成N型半导体D、在PNP型晶体管中,基区是N型半导体

考题 水泵类负载在工况点1、2运行时,对应的功率和转速分别为P1、P2和N1、N2,它的功率(P)与转速(N)符合()关系式。A、N2/N1=(P2/P1)3B、P2/P1=N2/N1C、P2/P1D、P2/P1=(N2/N1)2

考题 从射线理论的观点看,在阶跃型光纤中,入射子午光线形成导波的条件是:光线在光纤端面上的入射角Φ必须满足的条件为()A、Φ≥arcsin(n2/n1)B、0≤Φ≤arcsin√(n12-n22)C、Φ>arcsin√(n12-n22)D、0≤Φ≤arcsin(n2/n1)

考题 在纯净的半导体中掺入不同的杂质,可形成两种不同的杂质半导体,即N型半导体和()半导体。

考题 温度恒定为400K,在一个带活塞的气缸中,存在下列反应:A(g)+B(g)≒D(g),平衡时体积为V,压力为p,D气体的物质的量为n0(D)。 (1)在恒温、恒压下,向上述平衡系统中,通入惰性气体C(g),使系统的体积变大,达到新的平衡时D(g)的物质的量为n1(D),则n1(D)()n0(D); (2)将通入惰性气体后的平衡系统,恒温压缩 到原来的体积V,达到平衡态时,D(g)的物质的量为n2(D)。则n2(D)()n1(D)。;n2(D)()n0(D)。

考题 计数标准型抽样检验中,确定抽检方案的基本要素是p0,p1,关于p0,p1值(p0A、p0,p1值(P0p1)应由供需双方协商决定B、确定p0时,应考虑不合格或不合格品类别及其对顾客损失的严重程度C、p1的选取,一般应使p1与p0拉开一定的距离,即要求p1p0,IEC推荐p1/p0一般取1.5,2.0或3.0D、P1/P0的控制有一定。p1/P0过小,放松对质量的要求,对使用方不利,但p1/P0过大会增加抽检产品的数量,使检验费用增加E、A类不合格或不合格品的p0值要选得比B类的要大;而B类不合格或不合格品的p0值又应选得比C类的要小

考题 连墙件的连接强度计算公式中,连墙件轴向力计算值为风荷载标准值+N0,对于N0单排脚手架取()N,双排脚手架取()N。

考题 对半导体而言,其正确的说法是()A、P型半导体多数载流子为空穴,所以它带正电B、N型半导体多数载流子为自由电子,所以它带负电C、P型半导体和N型半导体本身都不带电D、在N型半导体中,空穴是多子,自由电子是少子

考题 在N型半导体中,多子是(),少子是();在P型半导体中,多子是(),少子是()

考题 有一阶跃光纤,已知n1=1.46, n2=1.45,外部介质为空气n0=1。试求光纤的数值孔径值和最大入射角。

考题 在纯净的半导体中,掺微量杂质则导电能力会()在P型半导体和N型半导体之交界处的薄层叫()。

考题 在半导体中,靠空穴导电的半导体称N型半导体。

考题 问答题有一阶跃光纤,已知n1=1.46, n2=1.45,外部介质为空气n0=1。试求光纤的数值孔径值和最大入射角。

考题 填空题连墙件的连接强度计算公式中,连墙件轴向力计算值为风荷载标准值+N0,对于N0单排脚手架取()N,双排脚手架取()N。

考题 单选题水泵类负载在工况点1、2运行时,对应的功率和转速分别为P1、P2和N1、N2,它的功率(P)与转速(N)符合()关系式。A N2/N1=(P2/P1)3B P2/P1=N2/N1C P2/P1D P2/P1=(N2/N1)2

考题 多选题计数标准型抽样检验中,关于p0,p1值(p0<p1)的选取,下列说法正确的有(  )。Ap0,p1值(p0<p1)应由供需双方协商决定。作为选取p0,p1的标准,取α=0.05,β=0.10B确定p0时,应考虑不合格或不合格品类别及其对顾客损失的严重程度Cp1的选取,一般应使p1与p0拉开一定的距离,即要求p1>p0,p1/p0过小,会增加抽检产品的数量,使检验费用增加DA类不合格或不合格品的p0值要选得比B类的要大;而B类不合格或不合格品的p0值又应选得比C类的要小E决定p1、p0时,要综合考虑生产能力、制造成本、产品不合格对顾客的损失、质量要求和检验费用等因素

考题 多选题在计数标准型抽样检验中,确定p0、p1的值时,下述说法正确的是(  )。Ap1/p0的值越小,判断精度越高Bp1/p0的值过小,抽检产品的数量会增加Cp1/p0的值过大,抽样的严格度越高Dp1/p0的值过大,会放松对质量的要求Ep1/p0过大对使用方不利

考题 单选题关于P型.N型半导体内参与电的粒子,下列说法正确的是()A 无论是P型还是N型半导体,参与导电的都是自由电子和空穴B P型半导体中只有空穴导电C N型半导体中只有自由电子参与导电D 在半导体中有自由电子.空穴.离子参与导电

考题 单选题关于N型半导体的下列说法,错误的是()。A 自由电了是多数载流子B 在二极管中由N型半导体引出的线是二极管的阴极C 在纯净的硅晶体中加入三价元素硼,可形成N型半导体D 在PNP型晶体管中,基区是N型半导体

考题 单选题关于N型半导体的下列说法,正确的是()。A 只存在一种载流子:自由电子B 在二极管中,N型半导体一侧接出引线后,是二极管的正极C 在纯净的硅衬底上,分散三价元素,可形成N型半导体D 在PNP型的晶体管中,基区正是由N型半导体构成