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4、IGBT是晶体管和MOS管的组合，它的功率容量不高。

参考答案和解析
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考题 IGBT是开关电源中的一种常用功率开关管,它的全称是()。 A.绝缘栅场效应管B.结型场效应管C.绝缘栅双极晶体管D.双极型功率晶体管
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考题 地铁电动列车下列描述正确的是：A.VVVF逆变器采用IGBT开关元件，每辆动车有2个VVVF单元，每个单元控制2台180kW电机B.列车具有电阻制动和再生制动功能，但当一辆动车中的一个VVVF逆变器单元故障时，该车仍具有电制动功能C.IGBT是一种由单极性的MOS和双极晶体管复合而成的器件。它兼有MOS和晶体管二者的优点，属电流型驱动器件D.VVVF装置位于拖车，每车1台
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考题 GBT与场管的区别，正确的有（）A、场管比IGBT频率高B、IGBT比场管导通压降低C、单支IGBT的 功率容量比场管容量大D、IGBT的开关损耗比场管大E、IGBT 适合低于20KHZ的逆变电路，场管适合200KHZ以下的逆变电路
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考题 功率开关器件可以说是开关电源的心脏，下面哪一种开关器件不是开关电源所采用的（）。A、MOSFET功率场效应管B、IGBT绝缘栅双极晶体管C、GTR晶闸管D、BJT双极型晶体管
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考题 逆变弧焊机电源是目前最先进的弧焊电源，主要有可控硅（SCR）逆变弧焊电源、场效应管（MOS）逆变弧焊电源和绝缘栅双极性晶体管（IGBT）逆变弧焊电源。
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考题 IGBT与场管的区别，正确的有（）A、场管比IGBT频率高B、IGBT比场管导通压降低C、单支IGBT的 功率容量比场管容量大D、IGBT的开关损耗比场管大E、IGBT 适合低于20KHZ的逆变电路，场管适合200KHZ以下的逆变电路
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考题 不属于IGBT管特点的是（）A、IGBT管为混合器件B、驱动功率容量小C、电流等级为10A—400AD、IGBT管是一种电流型器件
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考题 一号线地铁列车逆变器的IGBT是一种由单极性的MOS和双极晶体管复合而成的器件，它兼有MOS和晶体管二者的优点，属于电流型驱动器件。
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考题 目前高频开关整流器采用的高频功率开关器件通常有功率MOSFET、IGBT管、以及两者混合管和（）等等。A、晶闸管B、可控硅C、功率集成器件D、晶体管
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考题 功率场效应晶体管简称为（）。A、GTOB、GTRC、P－MOSFETD、IGBT
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考题 IGBT比大功率晶体管有什么优点？
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考题 功率MOS场效应晶体管具有（）、（）和（）。
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考题 IGBT是开关电源中的一种常用功率开关管，它的全称是（）。A、绝缘栅场效应管B、结型场效应管C、绝缘栅双极晶体管D、双极型功率晶体管
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考题 MOS场效应管的英语缩写是（）。A、“IGBT”B、“BJT”C、“GTO”D、“MOSFET”
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考题 大功率晶体管的文字符号是（）A、GTOB、GTRC、P-MOSFETD、IGBT
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考题 请在空格内标出下面元件的简称：电力晶体管（）；可关断晶闸管（）；功率场效应晶体管（）；绝缘栅双极型晶体管（）；IGBT是（）和（）的复合管。
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考题 双极型功率晶体管和MOSFET的复合器件是IGBT。
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考题 请在正确的空格内标出下面元件的简称：电力晶体管（）；可关断晶闸管（）；功率场效应晶体管（）；绝缘栅双极型晶体管（）；IGBT是（）和（）的复合管。
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考题 IGBT是一种由单极性的MOS和双极晶体管复合而成的器件，它兼有MOS和晶体管二者的优点，属于电压型驱动器件。
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考题 关于二极管混频器和晶体管混频器，下面说法有误的是（）A、二极管混频器组合频率少、动态范围大B、二极管混频器的变频功率增益小于1C、晶体管混频器组合频率多、干扰严重D、晶体管混频器没有变频功率增益
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考题 多选题开关电源中常用的功率开关器件主要有（）A双极型晶体管BJTB快速晶闸管SCRC场效应管MOSFETD绝缘栅双极性晶体管IGBT
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考题 判断题一号线地铁列车逆变器的IGBT是一种由单极性的MOS和双极晶体管复合而成的器件，它兼有MOS和晶体管二者的优点，属于电流型驱动器件。A 对B 错
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考题 填空题电力晶体管GTR；可关断晶闸管（）；功率场效应晶体管MOSFET；绝缘栅双极型晶体管IGBT；IGBT是MOSFET和GTR的复合管。
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考题 填空题请在空格内标出下面元件的简称：电力晶体管（）；可关断晶闸管（）；功率场效应晶体管（）；绝缘栅双极型晶体管（）；IGBT是（）和（）的复合管。
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考题 填空题请在正确的空格内标出下面元件的简称：电力晶体管（）；可关断晶闸管（）；功率场效应晶体管（）；绝缘栅双极型晶体管（）；IGBT是（）和（）的复合管。
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考题 判断题IGBT是一种由单极性的MOS和双极晶体管复合而成的器件。它兼有MOS和晶体管二者的优点，属电流型驱动器件。A 对B 错
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考题 单选题MOS场效应管的英语缩写是（）。A “IGBT”B “BJT”C “GTO”D “MOSFET”
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考题 判断题双极型功率晶体管和MOSFET的复合器件是IGBT。A 对B 错
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