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功率MOS场效应晶体管具有()、()和()。


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考题 当MOS电路驱动TTL电路时必须注意()。A、阻抗匹配B、功率匹配C、时间匹配D、电平匹配

考题 场效应晶体管具有很小的输入电流和很高的输入()。

考题 功率场效应晶体管特点是()的静态内阻高,驱动功率小,撤除栅极信号后能自行关断,同时不存在二次击穿,安全工作区宽。

考题 电力场效应晶体管具有自关断能力,而且具有()、可以直接与数字集成电路连接.

考题 SIM9仿真库中的主要元件有电阻、电容、电感、()、()、JFET结型场效应晶体管、MOS场效应晶体管、电压/电流控制开关、熔丝、继电器、互感、TTL和CMOS数字电路元器件、模块电路等

考题 功率场效应晶体管简称为()。A、GTOB、GTRC、P-MOSFETD、IGBT

考题 常用的电子开关有()。A、继电器B、双极型晶体管C、MOS场效应晶体管D、二极管

考题 请在空格内标出下面元件的简称:电力晶体管();可关断晶闸管();功率场效应晶体管();绝缘栅双极型晶体管();IGBT是()和()的复合管。

考题 请在正确的空格内标出下面元件的简称:电力晶体管();可关断晶闸管();功率场效应晶体管();绝缘栅双极型晶体管();IGBT是()和()的复合管。

考题 试说明绝缘栅双极型晶体管驱动电路与大功率晶体管及功率场效应晶体管驱动电路的异同点。

考题 电力场效应晶体管(电力MOSFET)是理想的()控制器件。A、电压B、电流C、电阻D、功率

考题 绝缘栅双极型晶体管具有电力场效应晶体管和电力晶体管的优点。

考题 电力电子开关器件的发展经历的四个阶段为:()、()、功率 场效应晶体管、绝缘栅双极晶体管。

考题 CMOS反相器基本电路包括()A、P沟道增强型MOS管和N沟道增强型MOS管B、P沟道耗尽型MOS管和N沟道耗尽型MOS管C、P沟道增强型MOS管和N沟道耗尽型MOS管D、P沟道耗尽型MOS管和N沟道增强型MOS型

考题 功率场效应晶体管的特点是:()的静态内阻高,驱动功率小,撤除栅极信号后能自动关断,同时不存在二次击穿,安全工作区范围宽。

考题 电力场效应晶体管是理想的()控制型器件A、电压B、电流C、电阻D、功率

考题 功率场效应晶体管最大功耗随管壳温度的增高而()。

考题 填空题MOS场效应晶体管的开启电压指的是:()。所以,NMOS管的开启电压为(),PMOS管的开启电压为()。

考题 单选题绝缘栅场效应晶体管根据结构不同分为()A P沟道增强型效应晶体管和N沟道结型场效应晶体管B 增强型绝缘栅场效应晶体管和耗尽型绝缘栅场效应晶体管C N沟道结型场效应晶体管和P沟道增强型场效应晶体管D N沟道结型场效应晶体管和P沟道绝缘栅型场效应晶体管

考题 单选题场效应晶体管根据结构不同分为两大类,它们的类型和简称是()A 结型场效应晶体管,简称JFETB 绝缘栅型场效应晶体管,简称JFETC 结型场效应晶体管JGFETD 绝缘栅型场效应晶体管JGFET

考题 问答题MOS管电阻具有什么特点?

考题 填空题电力晶体管GTR;可关断晶闸管();功率场效应晶体管MOSFET;绝缘栅双极型晶体管IGBT;IGBT是MOSFET和GTR的复合管。

考题 填空题MOS场效应晶体管分为四种基本类型:()、()、P沟增强型、P沟耗尽型。

考题 单选题结型场效应晶体管根据结构不同分为()A P沟道结型场效应晶体管和N沟道结型场效应晶体管B P沟道结型场效应晶体管和N沟道增强型场效应晶体管C N沟道结型场效应晶体管和P沟道增强型场效应晶体管D N沟道结型场效应晶体管和P沟道型绝缘栅场效应晶体管

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考题 判断题场效应晶体管根据结构不同,可分为两大类:结型场效应晶体管和绝缘栅型场效应晶体管。A 对B 错

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