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15、关于杂质半导体电阻率随温度的变化关系描述正确的有（）。

A．杂质半导体的电阻率随温度升高单调下降

B．低温下，半导体的电阻率随温度的升高而下降，主要因为载流子浓度随温度升高而升高，且杂质电离散射几率随温度升高而下降

C．高温下，当本征激发称为主要矛盾时，其电阻率随温度升高而下降

D．当温度升高到杂质基本电离，且本征激发不显著时，晶格振动散射成为影响电阻率的主要因素

参考答案和解析
低温下，半导体的电阻率随温度的升高而下降，主要因为载流子浓度随温度升高而升高，且杂质电离散射几率随温度升高而下降;高温下，当本征激发称为主要矛盾时，其电阻率随温度升高而下降;当温度升高到杂质基本电离，且本征激发不显著时，晶格振动散射成为影响电阻率的主要因素
更多 “15、关于杂质半导体电阻率随温度的变化关系描述正确的有（）。A．杂质半导体的电阻率随温度升高单调下降B．低温下，半导体的电阻率随温度的升高而下降，主要因为载流子浓度随温度升高而升高，且杂质电离散射几率随温度升高而下降C．高温下，当本征激发称为主要矛盾时，其电阻率随温度升高而下降D．当温度升高到杂质基本电离，且本征激发不显著时，晶格振动散射成为影响电阻率的主要因素” 相关考题
考题 当温度升高时,半导体的电阻率随温度升高而迅速减小,而金属的电阻率却会增大。() 此题为判断题(对，错)。
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考题 半导体的电阻率随()的升高而下降。 A、湿度B、压力C、电压D、温度
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考题 影响半导体导电性能的主要因素是()。 A.压力B.随温度的上升，半导体的电阻率增大C.光照可以使导电能力减弱D.杂质
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考题 电阻式温度计是利用导体或半导体的()的物理特性而制成的。 A、热电效应B、电阻率随温度变化C、固体物质导热D、热平衡效应
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考题 金属导体的电阻率随温度升高而______；半导体的导电能力随温度升高而______。A.升高／升高B.降低／降低C.升高／降低D.降低／升高
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考题 电阻式温度计是利用导体或半导体的()的物理特性制成的。 A.热电效应B.电阻率随温度变化C.固体物质导热D.热平衡效应
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考题 利用热敏电阻对温度敏感特性,使电阻率随温度的变化而呈规律性变化的原理制成的温度计是()。 A、半导体温度计B、自计温度计C、最低温度计D、干湿球温度计
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考题 半导体的电阻率随温度变化很显著。此题为判断题(对，错)。
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考题 各种材料的电阻率会随温度而变化。A对B错
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考题 本征半导体的特点是：导电能力极弱，且随温度变化导电能力有显著变化
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考题 各种材料的电阻率会随温度而变化。
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考题 半导体的导电能力随外界温度、光照或渗入杂质不同而显著变化。
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考题 电阻温度计是根据其电阻阻值随（）变化而变化这一原理测量温度的。A、压力B、电阻率C、温度
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考题 半导体的电阻率随着温度的上升而（）。A、上升B、下降C、不变D、变化很大
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考题 晶格热振动的加剧，金属和半导体的电阻率均随温度的升高而增大。
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考题 影响半导体导电性能的主要因素是（）。 A、压力B、随温度的上升，半导体的电阻率增大C、光照可以使导电能力减弱D、杂质
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考题 当温度升高时，半导体的电阻率随温度升高而迅速减小，而金属的电阻率却会增大。
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考题 金属导体和半导体有个显著差别在于金属的电阻率随（）而（），而半导体的电阻率随（）而（）（少数除外）。
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考题 地层水电阻率与矿化度、温度的关系为（）A、地层水电阻率随矿化度增加而增加，随温度增加而增加B、地层水电阻率随矿化度增加而增加，随温度增加而降低C、地层水电阻率随矿化度增加而降低，随温度增加而降低
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考题 半导体材料的电阻率随作用应力而变化的效应称为（）。A、压电效应B、霍尔效应C、热电效应D、压阻效应
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考题 在杂质半导体中，少数载流子的浓度与（）有很大关系。A、温度B、掺杂工艺C、杂质浓度D、晶体管缺陷
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考题 一般说来，金属的电阻率随温度的升高而降低，碳等纯净半导体和绝缘体的电阻率则随温度的升高而减小。
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考题 判断题当温度升高时，半导体的电阻率随温度升高而迅速减小，而金属的电阻率却会增大。A 对B 错
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考题 问答题热敏陶瓷定义及用途，按照电阻率随温度变化特性可分为哪几类？并简要说明电阻率随温度变化特性。
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考题 单选题影响半导体导电性能的主要因素是（）。A 压力B 随温度的上升，半导体的电阻率增大C 光照可以使导电能力减弱D 杂质
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考题 单选题金属导体的电阻率随温度升高而（）；半导体的导电能力随温度升高而（）。A 升高／升高B 降低／降低C 升高／降低D 降低／升高
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考题 单选题若一种材料的电阻率随温度升高先下降后升高，则该材料是（）。A 本征半导体B 金属C 化合物半导体D 掺杂半导体
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考题 单选题下列描述中不属于本征半导体的基本特征是（）。A 温度提高导电能力提高B 有两种载流子C 电阻率很小，接近金属导体D 参杂质后导电能力提高
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