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钨的逸出功为4.5eV,用光子能量为6.0eV的光束照射钨而产生光电效应,遏止电压为____________V.
A.1.5
B.4.5
C.6.0
D.10.5
参考答案和解析
× 爱因斯坦光电效应方程是光电效应最基本的方程,其事实上就是在光子假设的基础上的能量守恒定律。
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考题
钨靶(钨原子序数为74);在120kV时产生 X线的效率约是A.0.7%B.0.8%C.0.9%SXB
钨靶(钨原子序数为74);在120kV时产生 X线的效率约是A.0.7%B.0.8%C.0.9%D.2.0%E.99%
考题
下列有关光电效应的叙述,错误的是()A、诊断用X线与铅的相互作用形式,主要是光电效应B、光电效应的结果是,入射光子能量的一部分以散射光子释放C、光电效应可产生特征放射、光电子和正离子D、光电效应中,X线光子能量全部给予了物质原子的壳层电子E、光电效应以光子击脱原子的内层轨道电子而发生
考题
能量为80keV的电子入射到X射线管的钨靶上产生的结果是().A、连续X射线的最大能量是80keV。B、标识X射线的最大能量是80keV。C、产生的X射线绝大部分是标识X射线。D、仅有1%的电子能量以热量的形式沉积在钨靶中。
考题
以下关于光电效应的叙述,哪一条是错误的()A、光电效应发生几率随光子能量的增大而减小B、光电效应发生几率随材料的原子序数增大而增大C、光电效应过程中除产生光电子外,有时还会产生反冲电子D、光电效应发射出的电子的能量肯定小于入射光子的能量
考题
关于光电效应,下列说法中唯一正确的是()A、金属的逸出功越大,产生光电子所需的时间越长B、金属的逸出功越大,光电效应的红限频率越高C、入射光强度越大,光电子的初动能越大D、入射光强度越大,遏止电压越高
考题
下列对光电效应的叙述中,哪些是正确的()A、光电效应发生的概率随光子的能量增大而减小B、光电效应发生的概率随材料的原子序数增大而增大C、光电效应过程除产生光电子外,有时还会产生反冲电子D、光电效应发射出的电子能量肯定小于入射光子的能量E、光电效应作用对象为轨道电子
考题
以下一些材料的功函数(逸出功)为: 铍–3.9eV,钯–5.0eV,钨–4.5eV,铯–1.9eV 现要制造能在可见光(频率范围为3.9×1014~7.5×1014Hz)下工作的光电管,在这些材料中应选()A、钨B、钯C、铯D、铍
考题
单选题以下关于光电效应的叙述,哪一条是错误的()A
光电效应发生几率随光子能量的增大而减小B
光电效应发生几率随材料的原子序数增大而增大C
光电效应过程中除产生光电子外,有时还会产生反冲电子D
光电效应发射出的电子的能量肯定小于入射光子的能量
考题
填空题金属钨的逸出功是4.52eV,则金属钨的极限频率是(),如果用可见光(频率是3.9*1014~7.5*1014Hz)照射钨,则()(填“能”或“不能”)产生光电效应。
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