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27、共发射极连接的晶体管最大功率增益考察的是晶体管的最高振荡频率，和特征频率无关。

参考答案和解析
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考题 截止频率,特征频率,最高频率,()最小 A截止频率B特征频率C最高频率
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考题 改变单结晶体管触发电路的振荡频率一般采用()。 A、变ReB、变CC、变LD、变C和L
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考题 下列元件的插装顺序是()。 A、晶体管→小功率电阻→短接线B、小功率电阻→短接线→晶体管→变压器C、晶体管→短接线→变压器→小功率电阻D、短接线→小功率电阻→晶体管→变压器
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考题 晶体管共发射极的截止频率fβ的定义是（）A、β=β0时的工作频率B、β=0.707β0时的工作频率C、β=2β0时的工作频率D、β=1时的工作频率
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考题 晶体管共发射极电路有哪些基本特点？
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考题 晶体管振荡的条件是什么？
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考题 晶体管的高频参数中，大小顺序为（）。（fα共基极截止频率，fT特征频率，fβ共发射极截止频率）。A、fα〉fT〉fβB、fα〉fβ〉fTC、fα〈fT〈fβD、fα〈fβ〈fT
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考题 集成运放是个高增益的多级放大器，由于晶体管的极间电容和（）等的影响，容易引起高频自激振荡。
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考题 改变单结晶体管触发电路的振荡频率一般采用（）。A、变尺B、变cC、变LD、变c和L
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考题 电力晶体管是（）控制型器件。A、电流B、电压C、频率D、功率
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考题 （）不属于晶体管共发射极电路特点。A、具有较高的电压增益B、具有较高的电流增益C、输入电阻比较适中D、输出电阻大
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考题 增大单结晶体管振荡器中充电回路时间常数，可改变输出脉冲（）。A、频率B、相位C、幅度D、频率和幅度
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考题 晶体管接近开关以（）最常用，它主要由振荡器、检测和晶体管输出组成。A、低频振荡型B、中频振荡型C、高频振荡型D、振荡型
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考题 为了使电路工作稳定，且有一定的功率效益，晶体管实际工作频率应取最高振荡频率的（）。A、1／4～1／6B、1／3～1／4C、1／5～1／8D、1／2～1／3
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考题 NPN型晶体管和PNP型晶体管的电路符号仅在于发射极箭头方向不同，这个箭头是代表发射结在正向连接时的（）方向。A、电量B、电流C、电压D、功率
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考题 集成运放是个高增益的（），由于晶体管的（）和（）等的影响，容易引起高频自激振荡。
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考题 下列元件的插装顺序是（）。A、晶体管→小功率电阻→短接线→变压器B、小功率电阻→短接线→晶体管→变压器C、晶体管→短接线→变压器→小功率电阻D、短接线→小功率电阻→晶体管→变压器
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考题 正向AGC是利用被控管集电极电流Ic的（）而使功率增益（）正向AGC晶体管的输出特性呈（）性。
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考题 温度的变化造成晶体管参数的改变，易影响高频振荡器的振荡频率。
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考题 晶体管共发射极放大电路电流放大倍数较小。
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考题 晶体管共发射极放大电路电压放大倍数较小。
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考题 功率放大电路的转换效率是指（）A、输出功率与晶体管所消耗的功率之比B、最大输出功率与电源提供的平均功率之比C、晶体管所消耗的功率与电源提供的平均功率之比
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考题 LC正弦波振荡电路的振荡频率主要取决于谐振回路的参数，而与晶体管参数及负载电阻大小无关。因此当晶体管参数及负载电阻改变时，振荡电路的频率稳定度不变。
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考题 晶体管电动汽油泵由晶体管控制部分和泵油部分构成，其控制部分是一个（）电路。A、振荡B、开关C、自励间歇振荡D、放大
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考题 关于二极管混频器和晶体管混频器，下面说法有误的是（）A、二极管混频器组合频率少、动态范围大B、二极管混频器的变频功率增益小于1C、晶体管混频器组合频率多、干扰严重D、晶体管混频器没有变频功率增益
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考题 改变单结晶体管触发电路的振荡频率一般应采用改变什么的方法（）。A、发射极电阻B、电源电压C、振荡电容D、单结晶体管的电流
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考题 问答题晶体管共发射极电路有哪些基本特点？
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考题 单选题晶体管共发射极的截止频率fβ的定义是（）A β=β0时的工作频率B β=0.707β0时的工作频率C β=2β0时的工作频率D β=1时的工作频率
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