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IGBT具有擎住效应。

参考答案和解析
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考题 晶闸管的维持电流通常小于擎住电流，IH＜IL。()
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考题 擎住效应 名词解释
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考题 产生擎住效应的主要原因是什么?
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考题 为使导通的晶闸管可靠关断,应采取措施让阳极电流IA小于晶闸管的()。 A、擎住电流B、维持电流C、额定电流D、平均电流
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考题 由于电力二极管中存在(),使其正向导通通过大电流时,能保持较低的电压降。A、擎住效应B、二次击穿C、雪崩击穿D、电导调制效应
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考题 电力MOSFET通态电阻具有(),并联使用具有电流自动均衡能力,易于并联。A、电导调制效应B、正的温度系数C、负的温度系数D、擎住效应
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考题 场效应管除了结型场效应管外,还有()型场效应管; A.绝缘型；B.IGBT型；C.稳压型；
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考题 能保持晶闸管导通的最小电流称为（）。A、擎住电流B、维持电流C、浪涌电流D、共基极电流
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考题 ZX7400D的开关功率器件是（）。A、场效应管B、单管IGBTC、IGBT模块D、可控硅
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考题 由通态到断态，能够维持晶闸管元件导通的最小阳极电流叫做擎住电流。
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考题 当阳极电流减小到（）以下时，晶闸管才能恢复阻断状态。A、正向漏电流B、通态平均电流C、擎住电流D、维持电流
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考题 功率场效应晶体管简称为（）。A、GTOB、GTRC、P－MOSFETD、IGBT
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考题 IGBT的主体部分与GTR类似，控制部分与场效应管类似，下面属于IGBT具有的优点的有（）A、电磁噪音很小B、电流波形大为改善，电机的转矩增大C、IGBT管二次击穿现象小D、最大管子容量比GTO管大的多
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考题 何为擎住效应？危害是什么？如何避免？
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考题 场效应管除了结型场效应管外，还有（）型场效应管；A、绝缘型；B、IGBT型；C、稳压型；
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考题 MOS场效应管的英语缩写是（）。A、“IGBT”B、“BJT”C、“GTO”D、“MOSFET”
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考题 （）存在二次击穿现象，（）存在擎住现象。
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考题 晶闸管稳定导通的条件（）。A、晶闸管阳极电流大于晶闸管的擎住电流B、晶闸管阳极电流小于晶闸管的擎住电流C、晶闸管阳极电流大于晶闸管的维持电流D、晶闸管阳极电流小于晶闸管的维持电流
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考题 什么是IGBT的擎住现象？使用中如何避免？
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考题 什么是维持电流？什么是擎住电流？
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考题 在晶闸管的电流上升到其（）电流后，去掉门极触发信号，晶闸管仍能维导通。A、维持电流B、擎住电流C、额定电流D、触发电流
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考题 为什么IGBT是电导调制性场效应管？
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考题 晶闸管的关断条件是阳极电流小于管子的擎住电流。
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考题 填空题电力晶体管GTR；可关断晶闸管（）；功率场效应晶体管MOSFET；绝缘栅双极型晶体管IGBT；IGBT是MOSFET和GTR的复合管。
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考题 单选题晶闸管稳定导通的条件（）。A 晶闸管阳极电流大于晶闸管的擎住电流B 晶闸管阳极电流小于晶闸管的擎住电流C 晶闸管阳极电流大于晶闸管的维持电流D 晶闸管阳极电流小于晶闸管的维持电流
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考题 单选题MOS场效应管的英语缩写是（）。A “IGBT”B “BJT”C “GTO”D “MOSFET”
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考题 问答题什么是IGBT的擎住现象？使用中如何避免？
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考题 问答题何为擎住效应？危害是什么？如何避免？
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