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()存在二次击穿现象,()存在擎住现象。


参考答案

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考题 GTR存在二次击穿现象。()

考题 P-MOSFET存在二次击穿现象。()

考题 劳动力成为商品是( )A.一切社会共同存在的现象;B.私有制社会共同存在的现象;C.商品经济会共同存在的现象;D.资本主义社会特有的现象;

考题 什么是GTR的二次击穿现象以及二次击穿的危害。

考题 由于电力二极管中存在(),使其正向导通通过大电流时,能保持较低的电压降。A、擎住效应B、二次击穿C、雪崩击穿D、电导调制效应

考题 穿孔过程中,既存在前滑现象,又存在后滑现象。

考题 邓斯•司各脱认为()没有区别。A、现象与本质B、存在与现象C、存在与本质

考题 电力场效应管MOSFET()现象。A、有二次击穿B、无二次击穿C、防止二次击穿D、无静电击穿

考题 局部放电是指电气设备绝缘内部存在的缺陷,在一定外施电压下发生的局部重复击穿和熄灭的现象。

考题 功率晶体管GTR从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为()。A、一次击穿B、二次击穿C、临界饱和D、反向截止

考题 土地既存在折旧现象,又存在增值现象。

考题 下列古语土地的法正确的是( )。A、土地一般不存在折旧现象,而且随着社会经济发展还有增值现象B、土地一般不存在折旧现象,但是随着社会经济发展有贬值现象C、土地一般存在折旧现象,但是随着社会经济发展还有增值现象D、土地一般存在折旧现象,而且随着社会经济发展还有贬值现象

考题 GTR的优点是控制方便、开关时间短,低频特性好,缺点是存在局部过热现象,可能导致二次击穿。

考题 电力场效应晶体管(电力MOSFET)()现象。A、有二次击穿B、无二次击穿C、防止二次击穿D、无静电击穿

考题 试解释为什么GTR有二次击穿现象,而Power MOSFET没有。

考题 什么是IGBT的擎住现象?使用中如何避免?

考题 当在耐压试验过程中,出现连续的击穿现象时,则判断电缆线路存在()A、接地故障B、断线故障C、闪络故障D、开路故障

考题 沿面放电是一种气体放电现象,由于()上的电场强度分布不均匀,沿面闪络电压比()或()单独存在时的击穿电压都低。

考题 当在耐压试验过程中,出现连续的击穿现象时,则判断电缆线路存在接地故障。

考题 单选题电力场效应晶体管(电力MOSFET)()现象。A 有二次击穿B 无二次击穿C 防止二次击穿D 无静电击穿

考题 填空题()存在二次击穿现象,()存在擎住现象。

考题 单选题如果可以选择,几乎所有的球队都愿意主场作战,而不愿意客场作战。这是因为(  )。A 社会助长现象的存在B 从众现象的存在C 群体极化现象的存在D 合作现象的存在

考题 单选题邓斯•司各脱认为()没有区别。A 现象与本质B 存在与现象C 存在与本质

考题 问答题试解释为什么GTR有二次击穿现象,而Power MOSFET没有。

考题 判断题土地既存在折旧现象,又存在增值现象。A 对B 错

考题 判断题IGBT没有二次击穿现象。A 对B 错

考题 问答题什么是IGBT的擎住现象?使用中如何避免?