简述IGBT的特点。

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简述IGBT的特点。

参考答案

考题 5、关于IGBT，下面（）不正确。A．IGBT是复合型器件，输入端是MOSFET，输出端是双极晶体管；B．IGBT存在电导调制效应；C．IGBT的开关速度较功率MOSFET快；D．IGBT较功率MOSFET更有利于制作大功率器件

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考题 23、非对称IGBT就是指版图结构不对称的IGBT。

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考题什么是IGBT？IGBT为何在变频器件中得到广泛应用？

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考题下列关于IGBT和电力MOSFET的说法正确的有A．IGBT开关速度高于电力MOSFETB．IGBT是电压驱动型器件C．电力MOSFET存在二次击穿问题D．IGBT具有擎住效应

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考题 16、关于IGBT，下面（）正确。A．IGBT是复合型器件，输入端是MOSFET，输出端是双极晶体管；B．IGBT存在电导调制效应；C．IGBT的开关速度较功率MOSFET快；D．IGBT较功率MOSFET更有利于制作大功率器件

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考题 30、下列关于IGBT和电力MOSFET的说法正确的有A．IGBT开关速度高于电力MOSFETB．IGBT是电压驱动型器件C．电力MOSFET存在二次击穿问题D．IGBT具有擎住效应

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考题 3、3.对晶闸管触发电路有哪些基本要求？IGBT、GTR、GTO和电力MOSFET的驱动电路各有什么特点？

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考题下列关于IGBT和电力MOSFET的说法正确的有。A．IGBT是电压驱动型器件B．IGBT具有擎住效应C．IGBT开关速度高于电力MOSFETD．电力MOSFET存在二次击穿问题

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考题 IGBT的特点说法不正确的是（）A．IGBT的研制成功为斩波器，逆变器，变频器的高效化提供了有利条件B．IGBT目前没有抗短路能力C．IGBT是电压型驱动器件D．IGBT的设计中需要提供过电压保护

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