考题
在纯净半导体中掺入杂质或(),都会使半导体的导电性能增强。
考题
纯净半导体中掺入微量的某种杂质,会使半导体的导电性能()。
考题
杂质半导体中的多数载流子浓度取决于()
A、掺杂浓度B、工艺C、温度D、晶体缺陷
考题
通常将纯净的,晶格完整的半导体称为杂质半导体。()
此题为判断题(对，错)。
考题
纯净晶体结构的半导体称之为()
A、本征半导体B、P型半导体C、N型半导体D、杂质半导体
考题
不含杂质的半导体叫做()
A、N型半导体B、P型半导体C、本征半导体D、晶体管
考题
完全不含杂质且无晶格缺陷的纯净半导体称为本证半导体。
考题
晶体中渗入杂质或由较为纯净的晶体形成了非整比化合物都属于化学缺陷。
考题
完全纯净的，没有任何杂质且晶体结构完整的半导体的单晶体称为（）。
考题
下列不属于本征半导体的是（）A、纯净半导体B、P型半导体C、杂质半导体D、N型半导体
考题
在纯净的半导体中掺入不同的杂质，可形成两种不同的杂质半导体，即N型半导体和（）半导体。
考题
晶体中吸藏的杂质和晶格中的有机溶剂可以通过（）的方式除去。
考题
半导体中的空穴是（）A、半导体晶格中的缺陷B、电子脱离共价键后留下的空位C、带正电的离子
考题
杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（）。A、温度B、掺杂工艺C、掺杂浓度D、晶格缺陷
考题
在杂质半导体中，少数载流子的浓度与（）有很大关系。A、温度B、掺杂工艺C、杂质浓度D、晶体管缺陷
考题
在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（）A、温度B、掺杂工艺C、杂质浓度D、晶体管缺陷
考题
在晶体中存在杂质时对扩散有重要的影响，主要是通过（），使得扩散系数增大。A、增加缺陷浓度B、使晶格发生畸变C、降低缺陷浓度D、A和B
考题
在杂质半导体中，多数载流子的浓度取决于（）。A、晶体缺陷B、温度C、杂质浓度D、掺杂工艺
考题
在纯净的半导体中，掺微量杂质则导电能力会（）在P型半导体和N型半导体之交界处的薄层叫（）。
考题
在纯净的半导体中掺入微量的杂质，能提高半导体的（）能力。A、绝缘B、导电C、抗干扰D、介电
考题
单选题在晶体中存在杂质时对扩散有重要的影响，主要是通过（），使得扩散系数增大。A
增加缺陷浓度B
使晶格发生畸变C
降低缺陷浓度D
A和B
考题
填空题杂质在硅晶体中的扩散机制主要有两种，分别是（）扩散和（）扩散。杂质只有在成为硅晶格结构的一部分，即（），才有助于形成半导体硅。
考题
填空题晶体中吸藏的杂质和晶格中的有机溶剂可以通过（）的方式除去。
考题
单选题若某半导体导带中电子出现几率为零，则此半导体必定（）。A
处于绝对零度B
不含任何杂质C
不含任何缺陷D
不含施主
考题
填空题完全纯净的，没有任何杂质且晶体结构完整的半导体的单晶体称为（）。
考题
单选题在晶体缺陷理论中外来原子进入晶格就成为晶体中的杂质，这种杂质原子如果取代原来晶体中的原子而进入正常结点的位置称为（）A
取代原子B
空位原子C
杂质原子D
填隙原子