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外延工艺常用的硅源有四氯化硅 SiCl4，三氯硅烷 SiHCl3，二氯硅烷SiH2Cl2 ，硅烷SiH4，二硅烷Si2H6。请对这五种硅源外延时的生长温度高低排序？同样外延条件下，哪种源外延生长速率最快？

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考题 化学键合相的制备方法主要有（）。A硅酯化B氯化C甲基化D硅烷化
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考题 不是肌醇气相色谱法衍生剂是（）。A三甲基氯硅烷B六甲基二硅胺烷CN，N-二甲基甲酰胺D乙酰氯甲烷
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考题 下列属于多晶硅制备的方法有（）A、硅烷法B、流化床法C、改良西门子法D、浮游带熔融法
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考题 气相色谱法中，色谱柱的担体标有WAWDMCS，它表示担体经过下列哪一种处理（）A、酸洗B、碱洗C、硅烷化D、酸洗硅烷化E、碱洗硅烷化
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考题 请简述硅烷储罐的填充过程。
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考题 下列属于制作非晶硅太阳电池常用的方法的是（）。A、三氯氢硅还原法B、辉光放电法C、硅烷热分解法D、四氯化硅还原法
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考题 以下是制备a-SI的方法是（）A、三氯氢硅还原法B、辉光放电法C、硅烷热分解法D、四氯化硅还原法
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考题 苯甘氨酸无水酰化路线的生产工艺的原理是，以（）为原料，进行（）；将7-ADCA与三甲基氯硅烷反应得到二硅烷基化的产物。
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考题 半导体硅材料制备中产生的硅烷在常温下是一种气体，其分子式为（）。A、SiH2B、SiHC、SiH3D、SiH4
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考题 二氯二甲硅烷是用于对玻璃、塑料制品的硅烷化。因为它有毒性、挥发性、易燃，所以必须在通风橱中使用。
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考题 多晶硅可用氢气在高温（900～1100℃）下还原三氯硅烷（SiHCl3）制得。问要制备100g纯硅至少需要氢气（）g，在0℃和101.325kPa下相当于（）体积，又同时可产生氯化氢气体（）g。（提示：SiHCl3+H2＝Si+3HCl）
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考题 问答题解释APCVD，使用APCVD SiO2的主要问题是什么，是用硅烷作为反应源吗？
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考题 填空题苯甘氨酸无水酰化路线的生产工艺的原理是，以（）为原料，进行（）；将7-ADCA与三甲基氯硅烷反应得到二硅烷基化的产物。
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考题 填空题硅气相外延的硅源有（）、（）、（）、（）等。
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考题 问答题写出下述反应的方程式： （1）Ca与二甲基汞的反应； （2）四甲基四锂与三苯基氯硅烷在乙醚中的反应； （3）三甲基硅烷HSi（CH3）3与乙烯在氯铂酸异丙醇溶液中的反应。
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考题 判断题二氯二甲硅烷是用于对玻璃、塑料制品的硅烷化。因为它有毒性、挥发性、易燃，所以必须在通风橱中使用。A 对B 错
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考题 单选题多晶硅的生产方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重掺硅废料提纯法4）西门子改良法5）SiCl4法6）气液沉淀法7）流化床法A 1234B 123C 2457D 4567
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考题 单选题将硅砂转化成可用多晶硅的形式纰谬的是（）A 四氯化硅法B 三氯氢硅法C 氯化钾法D 硅烷法
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