网友您好, 请在下方输入框内输入要搜索的题目:

题目内容 (请给出正确答案)

多晶硅可用氢气在高温(900~1100℃)下还原三氯硅烷(SiHCl3)制得。问要制备100g纯硅至少需要氢气()g,在0℃和101.325kPa下相当于()体积,又同时可产生氯化氢气体()g。(提示:SiHCl3+H2=Si+3HCl)


参考答案

更多 “多晶硅可用氢气在高温(900~1100℃)下还原三氯硅烷(SiHCl3)制得。问要制备100g纯硅至少需要氢气()g,在0℃和101.325kPa下相当于()体积,又同时可产生氯化氢气体()g。(提示:SiHCl3+H2=Si+3HCl)” 相关考题
考题 升温还原控制原则()。 A.三低:低温出水、低氢还原、还原后有一个低负荷生产期B.三稳:提温稳、补氢稳、出水稳。C.三不准:提温提氢不准同时进行;水分不准带入合成塔;不准长时间高温出水D.三控制:控制补H2速度;控制CO2浓度;控制出水速度

考题 触媒还原过程中三低()。 A.低温出水B.低氢还原C.还原后有一个低负荷生产期D.高温出水

考题 水与硅化镁、硅化铁等接触,会释放出自燃物______。中文名硅烷,又叫四氢化硅A.AL(OH)3B.NaOHC.SiH4D.CaC2

考题 下列属于多晶硅制备的方法有()A、硅烷法B、流化床法C、改良西门子法D、浮游带熔融法

考题 将硅砂转化成可用多晶硅的形式纰谬的是()A、四氯化硅法B、三氯氢硅法C、氯化钾法D、硅烷法

考题 实验室常用的高温电炉是马弗炉,一般温度可达900~1100℃。

考题 下列关于石英器说法错误的是()。A、石英比色皿内部有污物可用盐酸与乙醇浸泡除去B、石英器皿可用于高纯水的制备C、石英仪器耐高温,可在1100℃以下的情况使用D、石英器皿可用于具有还原气氛的高温

考题 合成催化剂升温还原三不准:即提温提氢不准同时进行;水份不准带入塔内;不准长时间高温出水。()

考题 下列符合催化剂升温还原要求的是()。A、低温出水,高温还原B、低温出水,低温还原C、提氢与提温同时进行D、高温出水时间尽可能长些

考题 Mo、C、Ni等高温下其氧化物都是活泼金属组元,在硫化过程中发生以下反应()。A、还原B、循环氢纯度C、还原和硫化D、不反应

考题 高炉内还原过程()温度范围是间接还原与直接还原的共存区。A、570~800℃B、800~900℃C、800~1100℃D、1100℃

考题 本生式火焰的颜色为蓝色,火焰的高度短,火焰的最高温度约()。A、700℃B、900℃C、1100℃D、1300℃

考题 测定球团矿还原膨胀性能的还原温度为()A、800±10℃B、900±10℃C、1000±10℃D、1100±10℃

考题 在900℃-1100℃高炉温区没有直接还原。

考题 炼焦过程中高温干馏的温度区间为:(()A、700℃-800℃B、800℃-900℃C、900℃-1000℃D、1000℃-1100℃

考题 H2与CO的还原能力在()达到基本平衡。A、900℃B、1100℃C、810℃

考题 触媒还原过程中三低()。A、低温出水B、低氢还原C、还原后有一个低负荷生产期D、高温出水

考题 硝酸尾气在氨氧化还原反应处理前NOX≤()ppm。A、800B、900C、1000D、1200

考题 硅烷的分子式是()。A、SiF4B、SiH4C、CH4D、SiC

考题 ()是将熔融后的多晶硅与单晶硅的结晶进行接触,边缓慢旋转提拉,使结晶生长,最后得到长棒形状的单晶硅。A、直拉法B、铸锭法C、西门子法D、三氯氢硅还原法

考题 下列属于制作非晶硅太阳电池常用的方法的是()。A、三氯氢硅还原法B、辉光放电法C、硅烷热分解法D、四氯化硅还原法

考题 目前多晶硅原料的制备方法主要有三氯氢硅法(改良西门子法)和()两种方法。

考题 以下是制备a-SI的方法是()A、三氯氢硅还原法B、辉光放电法C、硅烷热分解法D、四氯化硅还原法

考题 升温还原控制原则()。A、三低:低温出水、低氢还原、还原后有一个低负荷生产期B、三稳:提温稳、补氢稳、出水稳C、三不准:提温提氢不准同时进行;水分不准带入合成塔;不准长时间高温出水D、三控制:控制补H2速度;控制CO2浓度;控制出水速度

考题 半导体硅材料制备中产生的硅烷在常温下是一种气体,其分子式为()。A、SiH2B、SiHC、SiH3D、SiH4

考题 填空题氢腐蚀是指在高温下(约200℃以上),氢和钢中的()发生还原作用生成甲烷而导致沿晶界腐蚀的现象。

考题 单选题将硅砂转化成可用多晶硅的形式纰谬的是()A 四氯化硅法B 三氯氢硅法C 氯化钾法D 硅烷法