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晶 体 管 参 数 受 温 度 影 响 较 大，当 温 度 升 高 时，晶 体 管 的β、ICBO、UBE的 变 化情 况 为（）。

A．β 增 大、ICBO 和 UBE减 小

B．β 和ICBO增 大、UBE减 小

C．β 和UBE减 小、ICBO增 大

D．ICBO、UBE都 增 大

参考答案和解析
β和ICBO增加，UBE减小。
更多 “晶 体 管 参 数 受 温 度 影 响 较 大，当 温 度 升 高 时，晶 体 管 的β、ICBO、UBE的 变 化情 况 为（）。A．β 增 大、ICBO 和 UBE减 小B．β 和ICBO增 大、UBE减 小C．β 和UBE减 小、ICBO增 大D．ICBO、UBE都 增 大” 相关考题
考题 温度升高导致三极管参数发生()变化。 A、ICBO，β，UBE都增大B、ICBO，β，UBE都减小C、ICBO，β增大，UBE减小D、β，UBE增大，ICBO减小
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考题 温度上升时,半导体三极管的() A、ICBO增大，UBE下降B、UBE增大，ICBO减小C、ICBO和UBE增大D、ICBO和UBE减少
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考题 环境温度升高时双极型三极管的ICBO,β,Ube都升高。() 此题为判断题(对，错)。
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考题 当温度T升高时,晶体三极管的参数有如下变化规律()。 A、b增大，UBE增大，ICBO增大B、b减小，UBE减小，ICBO减小C、b增大，UBE减小，ICBO增大D、b减小，UBE增大，ICBO减小
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考题 在使用平晶时,如果用手触摸平晶时间过长,会使平晶平面度()。 A、变凹B、变凸C、不变
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考题 一般油船，在加温管系组数相同情况下，油舱越小，（）。A.加热面积大，温升慢B.加热面积大，温升快C.加热面积小，温升快
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考题 晶体管的参数受温度的影响较大，当温度升高时，晶体管的β、ICBO、UBE的变化情况为（）。 A.β和ICBO增加，UBE减小 B.β和UBE减小，ICBO增加 C.β增加，ICBO和UBE减小 D.β、UBE和ICBO都增加
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考题 晶体管的参数受温度影响较大，当温度升高时，晶体管的β、ICBO和UBE的变化情况分别为（　　）。 A．β增加，ICBO和UBE减小 B．β和ICBO增加，UBE减小 C．β和UBE减小，ICBO增加 D．β、ICBO和UBE都增加
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考题 聚合物中晶区与非晶区的折光率不相同，当聚合物晶相密度比非晶密度大时，随结晶度增加时，透明度（）。A、增加B、减少C、不变
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考题 温度升高时，三极管参数正确变化的是（）。A、Icbo，Ube，β均增大B、Icbo，Ube，β均减小C、Icbo及β增大，Ube下降D、Icbo及β下降，Ube增大
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考题 下贝氏体、回火位错马氏体、回火孪晶马氏体三种组织的断裂韧性由大到小的顺序为（）A、下贝氏体＞M位错＞M孪晶，B、M位错＞M孪晶＞下贝氏体，C、M位错＞下贝氏体＞M孪晶
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考题 下贝氏体、回火位错马氏体、回火孪晶马氏体三种组织的断裂韧性由大到小的顺序为（）A、下贝氏体＞M位错＞M孪晶B、M位错＞M孪晶＞下贝氏体C、M位错＞下贝氏体＞M孪晶D、M位错＝下贝氏体＝M孪晶
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考题 温度升高导致三极管参数发生（）变化。A、Icbo、β、Ube都增大B、Icbo、β、Ube都减小C、Icbo和β增大、Ube减小D、Icbo减小、β和Ube增大
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考题 温度升时，BJT的电流放大系数（），反向饱和电流ICBO（），发射结电压UBE（）。
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考题 温度升高，晶体管的电流放大系数β（），反向饱和电流ICBO（）正向结电压uBE（）。
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考题 晶体管参数受温度影响较大，当温度升高时，晶体管的β，ICBO，uBE的变化情况为（）A、β增加，ICBO，和 uBE减小B、β和ICBO增加，uBE减小C、β和uBE减小，ICBO增增加D、β、ICBO和uBE都增加
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考题 当温度升高时，晶体管的参数β增大，ICBO（），导通电压UBE减小。
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考题 晶体三极管的参数受温度影响，当温度升高时，晶体管的ICBO将（），β将（），|UBE|将（）。
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考题 晶体管参数受温度影响较大，当温度升高时，晶体管的β，ICBO，uBE的变化情况为（）。A、β增加，ICBO和 uBE减小B、β和ICBO增加，uBE减小C、β和uBE减小，ICBO增加D、β、ICBO和uBE都增加
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考题 晶体三极管的β、ICBO、UBE都是温度的函数，当温度升高时，β和ICBO（），而UBE（）
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考题 在检定平晶平面度时，如果用手角摸平晶进行调整的时间过长，会使平晶的平面度（）。A、变凹B、变凸C、不变
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考题 三极管中Icbo和Iceo随温度升高而（），Ube随温度升高而（）。
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考题 多选题非晶硒平板的劣势（）A易损B受温室度影响大C不可逆D维修成本高
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考题 单选题非晶硅平板探测器基本结构为（　　）。A 碘化铯闪烁体层、硒层和集点矩阵层、行驱动电路、图像信号读取电路B 碘化铯闪烁体层、非晶硅光电二极管阵列、行驱动电路、图像信号读取电路C 硒层、非晶硅光电二极管阵列、行驱动电路、图像信号读取电路D 非晶硅层、非晶硅光电二极管阵列、行驱动电路、图像信号读取电路E 碘化铯闪烁体层、非晶硅光电二极管阵列、硒层和集点矩阵层、图像信号读取电路
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考题 单选题在使用平晶时，如果用手触摸平晶时间过长，会使平晶平面度（）。A 变凹B 变凸C 不变
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考题 单选题熔体析晶遵循形核－长大机理，I、U曲线峰值大小及位置直接影响析晶过程及制品性质，当I－U重叠面积大且过冷度大时，容易得到（）。A 不能析晶，得到玻璃B 晶粒少、尺寸大的粗晶C 晶粒多、尺寸小的细晶D 晶粒多，尺寸大的粗晶
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考题 单选题由一种液相在（）下同时结晶出两种固相的反应称为共晶反应。A 变温B 恒温C 温升D 温降
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考题 单选题聚合物中晶区与非晶区的折光率不相同，当聚合物晶相密度比非晶密度大时，随结晶度增加时，透明度（）。A 增加B 减少C 不变
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