考题
双极型晶体管是电流控件,单极型晶体管是电压控件。()
此题为判断题(对，错)。
考题
双极型晶体管和场效应晶体管的控制信号（即驱动信号）为（）。A、均为电压控制B、均为电流控制C、双极型晶体管为电压控制，场效应管为电流控制D、双极型晶体管为电流控制，场效应管为电压控制
考题
已获广泛应用的全控型电力电子器件有电力晶体管GTR、可关断晶体管GTO、电力（）晶体管MOSFET、绝缘删双极型晶体管IGBT和场控晶闸管MCT等
考题
双极型晶体管和场效应晶体管的控制信号为（）。A、电压B、电流C、双极型为电压、场效应为电流D、双极型为电流、场效应为电压
考题
绝缘栅双极型晶体管（IGTR）是以（）作为基极，以（）作为发射极与集电极复合而成。
考题
绝缘栅双极型晶体管（IGBT）是以场效应晶体管作为基极，以（）作为发射与集电极复合而成。
考题
绝缘栅双极型晶体管是以电力场效应晶体管栅极（），以（）复合而成。
考题
双极型晶体管是（）控制器件，单极型晶体管是（）控制器件。
考题
MOS管D极的功能相当于一般晶体管的集电极。
考题
绝缘栅双极型晶体管是以（）作为栅极，以（）作为发射极与集电极复合而成。
考题
常用的电子开关有（）。A、继电器B、双极型晶体管C、MOS场效应晶体管D、二极管
考题
固体半导体摄像元件CCD是一种（）A、PN结光电二极管电路B、PNP型晶体管集成电路C、MOS型晶体管开关集成电路D、NPN型晶体管集成电路
考题
常用的电力电子器件有：（）。A、双极晶体管B、绝缘栅双极晶体管C、电力MOS场效应管D、门极关断晶闸管E、场控晶闸管
考题
双极型功率晶体管和MOSFET的复合器件是GTO。
考题
试说明绝缘栅双极型晶体管驱动电路与大功率晶体管及功率场效应晶体管驱动电路的异同点。
考题
绝缘栅双极型晶体管具有电力场效应晶体管和电力晶体管的优点。
考题
IGBT是一种由单极性的MOS和双极晶体管复合而成的器件，它兼有MOS和晶体管二者的优点，属于电压型驱动器件。
考题
双极型晶体管和场效应晶体管的驱动信号（）。A、均为电压控制B、均为电流控制C、双极型晶体管为电压控制，场效应晶体管为电流控制D、双极型晶体管为电流控制，场效应晶体管为电压控制
考题
填空题绝缘栅双极型晶体管是以电力场效应晶体管栅极为栅极作为栅极，以以电力晶体管（）和发射极作为发射极与集电极复合而成。
考题
问答题试说明绝缘栅双极型晶体管驱动电路与大功率晶体管及功率场效应晶体管驱动电路的异同点。
考题
多选题常用的电子开关有（）。A继电器B双极型晶体管CMOS场效应晶体管D二极管
考题
判断题绝缘栅双极型晶体管具有电力场效应晶体管和电力晶体管的优点。A
对B
错
考题
判断题双极型晶体管和单极型晶体管中都有两种载流子参与导电。A
对B
错
考题
填空题绝缘栅双极型晶体管是以电力场效应晶体管栅极为栅极作为栅极，以以电力晶体管集电极和（）作为发射极与集电极复合而成。
考题
判断题双极型晶体管是电流控件，单极型晶体管是电压控件。A
对B
错