考题
增强型绝缘栅场效应管只有加一定的负栅压,才能形成导电沟道而导通。()
此题为判断题(对，错)。
考题
场效应管靠()导电。
A、一种载流子B、两种载流子C、电子D、空穴
考题
场效应管是利用半导体的导电能力受电场影响而变化的原理制成的。()
此题为判断题(对，错)。
考题
靠空穴导电的半导体叫做电子型半导体,靠电子导电的半导体叫做空穴型半导体。()
此题为判断题(对，错)。
考题
增强型绝缘栅场效应管,当栅极g与源极s之间电压为零时()。
A、不能形成导电沟道B、漏极电压为零C、能够形成导电沟道D、漏极电流不为零
考题
晶体管多数载流子和少数载流子都参与导电,而场效应管只有个别载流子导电。()
此题为判断题(对，错)。
考题
场效应管中参与导电的载流子,只能是电子或空穴中的一种,NMOS管的载流子是(),PMOS管的载流子是()。
考题
在抬母线过程中，导杆与母线之间靠（）形成导电。
考题
P型半导体是靠（）导电。A、离子B、电子C、空穴
考题
半导体按导电类型分为（）型半导体与（）型半导体，（）型半导体靠电子来导电，（）型半导体靠空穴来导电。
考题
场效应管的类型按沟道分为（）型和（）型；按结构分有（）型和（）型；按uGS=0时有无导电沟道分为（）型和（）型。
考题
场效应管从结构上看可分成（）和（）两大类型，它们的导电过程仅仅取决于（）载流子的流动。
考题
结型场效应管的基本工作原理是（）A、改变导电沟道中的载流子浓度B、改变导电沟道中的横截面积C、改变导电沟道中的有效长度D、改变导电沟道中的体积
考题
耗尽型场效应管在uGS=0时也会在漏、源极之间形成导电沟道。
考题
场效应管是利用一种多子导电，其受温度的影响很小。
考题
当uGS=0时，漏源间存在导电沟道的称为（）型场效应管；漏源间不存在导电沟道的称为（）型场效应管。
考题
根据栅—源电压为零时，导电沟道是否存在，将场效应管分为（）和耗尽型。
考题
MOS场效应管按导电沟道划分为N和（）两大类。
考题
晶体管多数载流子和少数载流子都参与导电，而场效应管只有个别载流子导电。
考题
单选题结型场效应管利用栅源极间所加的（）来改变导电沟道电阻。A
反偏电压B
反向电流C
正偏电压D
正向电流
考题
判断题场效应管是利用一种多子导电，其受温度的影响很小。A
对B
错