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6、热等静压烧结是指将SLS成型件放入温控炉中，先在一定温度下脱掉黏接剂，然后再升高温度进行烧结。

参考答案和解析
包套HIP；无包套HIP
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考题 用釉粉上釉的烧结温度是A.低于体瓷烧结温度6～8℃B.高于体瓷烧结温度10℃C.高于烤瓷熔点4℃左右并保持一定时间D.形成较光的表面，防止瓷层烧结时产生气泡E.防止磨料成分污染金属表面
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考题 自身釉烧结的温度是A.低于体瓷烧结温度6～8℃B.高于体瓷烧结温度10℃C.高于烤瓷熔点4℃左右并保持一定时间D.形成较光的表面，防止瓷层烧结时产生气泡E.防止磨料成分污染金属表面
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考题 PFM冠上釉时的炉温是A、与体瓷的烧结温度相同B、低于体瓷烧结温度6～8℃C、低于体瓷烧结温度10～20℃D、高于体瓷烧结温度6～8℃E、高于体瓷烧结温度10～20℃
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考题 烧结风箱温度是指通过烧结料层的()温度。
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考题 金属基底冠除气的方法是A．低于烤瓷烧结温度10℃的条件下保持3minB．低于烤瓷烧结温度20℃的条件下保持3minC．高于烤瓷烧结温度4℃的条件下保持3minD．高于烤瓷烧结温度10℃的条件下保持3minE．高于烤瓷烧结温度20℃的条件下保持3min
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考题 烧结温度是指烧结料层中某一点的平均温度。此题为判断题(对，错)。
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考题 烧结温度是指烧结料层中某一点达到的( )。A.点火温度B.最高温度C.平均温度
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考题 SLS3D打印技术后处理的关键技术不包括以下哪一项（）。A、打磨抛光B、熔浸C、热等静压烧结D、高温烧结
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考题 烧结温度是指烧结料层中某一点达到的（）。A、点火温度B、最高温度C、平均温度
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考题 低温烧结是指温度1000℃的烧结。
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考题 烧结温度是指烧结料层中某一点的（）。
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考题 烧结温度是指烧结过程中料层达到的温度。（）
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考题 使用SLS 3D打印原型件后过程将液态金属物质浸入多孔的SLS坯体的孔隙内的工艺是（）。A、 浸渍B、 热等静压烧结C、 熔浸D、 高温烧结
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考题 上釉的烧结温度是（）。A、低于体瓷烧结温度5℃B、低于体瓷烧结温度10℃C、高于体瓷烧结温度5℃D、高于体瓷烧结温度10℃E、以上均不正确
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考题 烧结过程中，下部物料吸收了从上部热废气带给的热量，使下部烧结温度升高，这种现象称为（）作用。
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考题 烧结温度是指烧结料层中某一点的平均温度。
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考题 烧结终点温度是指烧结过程中某一点达到的（）。
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考题 选择性激光烧结成型工艺（SLS）工艺参数主要包括不分层深度，扫描速度，体积成型率，聚佳光照直径等。
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考题 SLS技术是指选区激光烧结技术。
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考题 单选题SLS 3D打印技术后处理的关键技术不包括以下哪一项？（）A  打磨抛光B  熔浸C  热等静压烧结D  高温烧结
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考题 问答题热等静压烧结的优点有哪些？
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考题 问答题热等静压烧结的特点？
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考题 问答题什么是烧结？方法有哪些？热等静压烧结的优点是什么？
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考题 名词解释题热等静压烧结
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考题 单选题使用SLS 3D打印原型件后过程将液态金属物质浸入多孔的SLS坯体的孔隙内的工艺是（）。A  浸渍B  热等静压烧结C  熔浸D  高温烧结
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考题 单选题金属基底冠除气的方法是（）。A 低于烤瓷烧结温度10℃的条件下保持3minB 低于烤瓷烧结温度20℃的条件下保持3minC 高于烤瓷烧结温度4℃的条件下保持3minD 高于烤瓷烧结温度10℃的条件下保持3minE 高于烤瓷烧结温度20℃的条件下保持3min
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考题 单选题一种或多种固体（金属、氧化物、氮化物、黏土...）粉末经过成型，在加热到一定温度后开始收缩，在（）温度下变成致密，坚硬的烧结体，这种过程称为烧结。A 熔点B 高于熔点C 低于熔点D 任何温度
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考题 单选题PFM冠上釉时的炉温是（　　）。A 与体瓷的烧结温度相同B 低于体瓷烧结温度6～8℃C 低于体瓷烧结温度10～20°CD 高于体瓷烧结温度6～8℃E 高于体瓷烧结温度10～20℃
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