考题
GTO的主要参数有( )。
A、最大可关断阳极电流B、电流关断增益C、导通时间D、关断时间
考题
下列选项是门极可关断晶闸管的标识的是()。
A.FSTB.TRIACC.RCTD.GTO
考题
可关断晶闸管GTO的开关频率范围为()。
A、1~5KHzB、1~2KHzC、20KHzD、220KHz
考题
可关断晶闸管的英语缩写是（）。A、“IGBT”B、“BJT”C、“GTO”D、“MOSFET”
考题
GTO门极控制电路有（）A、开通电流B、关断电路C、反偏电路D、去耦电路
考题
功率场效应管（功率MOSEFT）和GTR和GTO相比，其明显特点是栅极的静态内阻高，（）撤除栅极信号后能自行关断。
考题
关断晶闸管（GTO）构成高性能的变速调速系统。但目前由于元件的制造水平，只限于（）容量。A、大、中B、大C、中、小D、较小
考题
说明GTO的开通和关断原理。与普通晶闸管相比较有何不同？
考题
GTO可以通过门极既控制其导通又控制其关断。
考题
GTO与SCR一样都是PNPN四层三端电流控制型器件，为什么GTO可以控制其关断，而SCR不行？
考题
说明IGBT、GTO、GTR、MOSFET的优缺点。
考题
可关断晶闸管GTO的门极电路由（）组成。A、门极开通电路B、门极关断电路C、门极反偏电路D、RCD吸收电路
考题
门极关断晶闸管GTO工作频率不高，关断控制容易失败。
考题
GTO的关断是靠门极加负信号出现门极反向电流来实现的。
考题
GTO与可控硅的主要区别是（）A、GTO没有控制极B、可控硅电流大C、可控硅在没导通前，控制极不起作用D、GTO为可关断的可控硅
考题
门极关断晶闸管（GTO）与普通晶闸管相似，但结构上把阴极宽度减薄并采用台式结构，因而通过在门极加反压就能关断，但是GTO晶闸管还存在哪些问题？
考题
GTO的门极驱动电路包括（）。 A、开通电路B、关断电路C、反偏电路D、缓冲电路E、抗饱和电路
考题
问答题GTO与SCR一样都是PNPN四层三端电流控制型器件，为什么GTO可以控制其关断，而SCR不行？
考题
问答题门极关断晶闸管（GTO）与普通晶闸管相似，但结构上把阴极宽度减薄并采用台式结构，因而通过在门极加反压就能关断，但是GTO晶闸管还存在哪些问题？
考题
单选题可关断晶闸管的英语缩写是（）。A
“IGBT”B
“BJT”C
“GTO”D
“MOSFET”
考题
问答题为什么GTO的内部结构与普通晶闸管相似，但却可以通过施加门极负电流使其关断？
考题
多选题GTO的主要参数有（）。A最大可关断阳极电流B电流关断增益C导通时间D关断时间
考题
判断题GTO可以通过门极既控制其导通又控制其关断。A
对B
错
考题
判断题GTO的关断是靠门极加负信号出现门极反向电流来实现的。A
对B
错
考题
判断题门极关断晶闸管GTO工作频率不高，关断控制容易失败。A
对B
错