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问答题
说明GTO的关断原理。

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考题 GTO的主要参数有( )。 A、最大可关断阳极电流B、电流关断增益C、导通时间D、关断时间

考题 下列选项是门极可关断晶闸管的标识的是()。 A.FSTB.TRIACC.RCTD.GTO

考题 可关断晶闸管GTO的开关频率范围为()。 A、1~5KHzB、1~2KHzC、20KHzD、220KHz

考题 可关断晶闸管的英语缩写是()。A、“IGBT”B、“BJT”C、“GTO”D、“MOSFET”

考题 GTO门极控制电路有()A、开通电流B、关断电路C、反偏电路D、去耦电路

考题 功率场效应管(功率MOSEFT)和GTR和GTO相比,其明显特点是栅极的静态内阻高,()撤除栅极信号后能自行关断。

考题 关断晶闸管(GTO)构成高性能的变速调速系统。但目前由于元件的制造水平,只限于()容量。A、大、中B、大C、中、小D、较小

考题 说明GTO的开通和关断原理。与普通晶闸管相比较有何不同?

考题 什么是GTO的电流关断增益?

考题 GTO可以通过门极既控制其导通又控制其关断。

考题 GTO与SCR一样都是PNPN四层三端电流控制型器件,为什么GTO可以控制其关断,而SCR不行?

考题 说明IGBT、GTO、GTR、MOSFET的优缺点。

考题 可关断晶闸管GTO的门极电路由()组成。A、门极开通电路B、门极关断电路C、门极反偏电路D、RCD吸收电路

考题 门极关断晶闸管GTO工作频率不高,关断控制容易失败。

考题 GTO的关断是靠门极加负信号出现门极反向电流来实现的。

考题 说明GTO的关断原理。

考题 GTO与可控硅的主要区别是()A、GTO没有控制极B、可控硅电流大C、可控硅在没导通前,控制极不起作用D、GTO为可关断的可控硅

考题 门极关断晶闸管(GTO)与普通晶闸管相似,但结构上把阴极宽度减薄并采用台式结构,因而通过在门极加反压就能关断,但是GTO晶闸管还存在哪些问题?

考题 GTO的门极驱动电路包括()。 A、开通电路B、关断电路C、反偏电路D、缓冲电路E、抗饱和电路

考题 问答题GTO与SCR一样都是PNPN四层三端电流控制型器件,为什么GTO可以控制其关断,而SCR不行?

考题 问答题门极关断晶闸管(GTO)与普通晶闸管相似,但结构上把阴极宽度减薄并采用台式结构,因而通过在门极加反压就能关断,但是GTO晶闸管还存在哪些问题?

考题 单选题可关断晶闸管的英语缩写是()。A “IGBT”B “BJT”C “GTO”D “MOSFET”

考题 问答题为什么GTO的内部结构与普通晶闸管相似,但却可以通过施加门极负电流使其关断?

考题 多选题GTO的主要参数有()。A最大可关断阳极电流B电流关断增益C导通时间D关断时间

考题 判断题GTO可以通过门极既控制其导通又控制其关断。A 对B 错

考题 判断题GTO的关断是靠门极加负信号出现门极反向电流来实现的。A 对B 错

考题 判断题门极关断晶闸管GTO工作频率不高,关断控制容易失败。A 对B 错